摘要：【目的】研究4种沉水植物对再生水中氮、磷的去除速率和耐受范围，为以再生水作为补水的景观水体沉水植物的选择提供依据。【方法】以野外选取的伊乐藻（Elodea canadensis）、罗氏轮叶黑藻（Hydrilla verticillata）、菹草（Potamogeton crispus）和金鱼藻（Ceratophyllum demersum）4种沉水植物作为供试材料，设置含不同质量浓度TN和TP的再生水，测定有这4种沉水植物的再生水体中TN和TP质量浓度的变化，构建TN和TP质量浓度与培养时间的回归方程，并在回归方程的基础上，研究了4种沉水植物对再生水中的氮、磷的去除规律。【结果】在有4种沉水植物的再生水体中，TN和TP质量浓度均随着培养时间的延长呈负指数衰减变化，变化规律符合动力学方程y=ae-bt，其中y为TN或TP质量浓度，t为培养时间，a、b为反映植物净化能力的系数。a和b值不仅与沉水植物种类有关，而且与TN和TP初始质量浓度相关。罗氏轮叶黑藻对TN的去除能力最强，金鱼藻最低；伊乐藻对TP的去除能力最强，金鱼藻最小。菹草对氮素的耐受范围较宽，金鱼藻最窄；伊乐藻对磷素的耐受范围最宽，金鱼藻较窄。【结论】当再生水体中TN初始质量浓度为5~15 mg/L、TP初始质量浓度为0.5~1.5 mg/L时，罗氏轮叶黑藻和伊乐藻对氮磷营养盐的去除速率较高，可作为维持和改善再生水景观水体水质的先锋植物。

摘要：通过水平潜流人工湿地处理精养虾塘排水的中试试验,探讨了在不同高水力负荷条件下[1.10～5.34 m3.(m2.d)-1]人工湿地对有机物、氮磷以及悬浮物的去除效果,以期为其设计运行提供参考.结果表明,水力负荷与COD、TN、TP、SS的去除率呈负相关;COD、TN、SS去除速率随水力负荷的升高,先升后降,最高分别达到69、1.8和117.6 g.(m2.d)-1;TP的去除速率随水力负荷的升高变化并不明显.人工湿地在水力负荷2.52～3.24 m3.(m2.d)-1范围内运行时,污染物去除总量最高处理效果最佳.

摘要：研究了千屈菜在不同TP(Total Phosphorous)浓度的模拟富营养化水体中的生长情况和净化作用.结果表明,千屈菜在0～0.4mg·L-1的TP浓度范围内均生长良好,对水体中的TP的去除效果非常显著.在试验的30d内,千屈菜对始浓度为0.4mg·L-1的模拟富营养化水体中磷的去除率高达98%以上,其去除速率均明显高于对照凤眼莲.在最初10d内,千屈菜具有'快速'吸收的净化特性,水体中TP浓度呈直线下降,而且它的磷去除率与水体TP浓度呈正相关.

摘要：生物处理含盐污水时,由于无机盐对生物系统的影响,常常会导致低的有机物去除速率和去除效率.为了定量盐度对有机物生物去除的影响,研究生物处理含盐污水的盐抑制动力学,为具体设计含盐污水生物处理过程提供依据.试验采用间歇活性污泥法,对含盐污水的有机物降解速率和去除效率进行了研究.为了获得基本数据,首先研究了淡水环境下的基质降解动力学,然后对10～35g/L盐度环境分别进行试验.试验发现,盐度对生物处理系统的抑制属于非竞争模式,同时影响了最大降解速率和饱和常数.试验确定的盐抑制常数KY为2333 mg/L,并进一步给出了各盐度下有机物降解速率方程.

摘要：抛光垫修整臂的新设计能在抛光垫和修整盘对使用寿命期间,采用闭环控制(CLC)提高修整性能。测得的抛光垫修整器的力矩用于在现场实时监控修整和抛光过程。通过调节修整器的下压力以补偿工艺的偏移(例如,随修整盘老化而引起的金刚石研磨性的损失),CLC系统在整个抛光垫使用寿命期间维持工艺性能。

摘要：简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计,得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数。实验分析表明,当抛光液pH值为11,抛光压力为80 kPa,抛光盘转速60 r/min时,可以获得较高的去除速率。

摘要：目的制造新型高硬度硅溶胶,满足硅晶圆化学机械抛光(CMP)既要高抛光速率,又要高抛光质量的要求。方法利用恒液面聚合生长法制备硅溶胶的工艺特点,通过在合成过程中加入pH值稳定剂异丙醇胺,提升硅溶胶的硬度和稳定性。采用透射扫描电子显微镜、红外光谱等对硅溶胶的成分、形貌等胶体的性质进行表征和分析。结果通过设计对比实验,发现新型高硬度硅溶胶抛光时的pH值稳定性较普通市售硅溶胶有很大提升,3组新型高硬度硅溶胶平均抛光速率分别为1.580、1.544、1.582μm/min,较普通市售硅溶胶分别提升了17.41%、17.91%、18.25%。新型高硬度硅溶胶抛光后,硅晶圆的平均表面粗糙度只有0.157 nm,最低达到了0.132 nm,而市售普通硅溶胶抛光后的硅晶圆平均表面粗糙度为0.216 nm。同时,通过检测抛光前后硅溶胶粒径和形貌的变化,发现新型高硬度硅溶胶均优于普通市售硅溶胶。结论新型高硬度硅溶胶作为抛光的研磨料在去除速率、表面粗糙度等方面都有一定的优势,验证了新型高硬度硅溶胶作为抛光研磨料的实用价值。

摘要：通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料。如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料。介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比。

摘要：为了得到超光滑表面且无表层损伤的光学元件,引入一种新型的超光滑表面加工技术——等离子体抛光。介绍了有关等离子体刻蚀的研究进展以及去除机理,在已经设计好的实验平台上进行等离子体加工工艺实验,对影响去除效果的参数进行了实验研究,最后进行工艺参数优化。结果表明此技术能够应用于对光学元件的加工。