摘要：首次基于新型超宽带平面巴伦,设计了工作于超宽带(3.1~10.6GHz)频段的二极管双平衡混频器。微带到槽线过渡巴伦具有高通性质,可以阻断直流和中频分量,而微带到共面带线(CPS)过渡巴伦可以提供中频和直流回路,二者与交叉二极管对一起构成平面超宽带双平衡混频器。同时,可在中频端口串接宽阻带低通滤波器,进一步改善射频(RF)和本振(LO)端口到中频(IF)端口的隔离度。根据测试结果,当射频和本振信号工作于3.1~10.6GHz,中频在DC^100MHz时,变频损耗小于13dB,三个端口之间的隔离度大于25dB。

摘要：该文设计了工作在2.4 GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为提高变频增益增加了分流源单元.该混频器RF、LO和IF分别为2.40 GHz2、.41 GHz和10 MHz.经仿真在2.5 V电压下,取得变频增益(Gc)为11.095 dB、噪声系数(NF)为8.836 dB1、dB压缩点(P1dB)为-13.6 dBm、三阶输入截止点(IIP3)为-3.72 dBm、功耗为13.5 mW的较好结果.该混频器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺实现,版图面积(包括pads)为1 mm×1 mm.

摘要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个基于Gilbert单元、工作在2.4GHz的下变频双平衡混频器,该混频器具有良好的150MHz中频输出特性。经仿真在1.8V电压下,电路匹配良好,并取得转换增益为8.275dB、单边带噪声系数(NFssb)为8.431dB、为7.146dBm、功耗低于20mW的较好结果。

摘要：采用InP衬底,以空气桥工艺制作的肖特基二极管为核心器件,设计了一种0~110GHz的宽带双平衡混频器。整个混频器包括一路射频信号输入,两路射频信号输出,上下各有两路中频信号输出,同一侧中频信号的输出相位差为180。以及四个肖特基二极管作为混频器单元。仿真表明,该混频器在100MHz到110GHz频带内的变频损耗小于40dB。

摘要：本文基于WIN半导体的0.15μmGaAspHEMT工艺,设计了一款工作频段为4.5~6GHz的无源双平衡混频芯片。整体电路集成了肖特基二极管环路、射频及本振端微带螺旋巴伦以及匹配网络等.部分,最终版图尺寸为1000μm×700μm。通过ADS仿真软件测试,在C波段全频带内,混频网络可实现7dB以内的变频损耗,最小值为65dB,本振到射频隔离度大于35dB,本振到中频隔离度大于30dB,输入1dB压缩点大于15dBm,中频带宽可以达到2GHz。

摘要：分析了Gilbert结构有源双平衡混频器的工作机理,以及混频器的转换增益、线性度与跨导、CMOS沟道尺寸等相关电路参数间的关系,并据此使用ADS软件进行设计及优化。在采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,射频信号为2.5GHz,本振信号为2.25GHz、中频信号为250MHz时,2.5V工作电压的情况下仿真得到的转换增益为10.975dB,单边带噪声系数为9.09dB,1dB压缩点为1.2dBm,输出三阶交调截止点为11.354dBm,功耗为20mW。

摘要：介绍了基于0.18μmCMOS工艺的802.11a无线局域网(WLAN)有源双平衡混频器的设计方法。该混频器射频(RF),本振(LO)和中频(IF)信号频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2GHz。仿真结果显示:在1.8V电压下,变频增益为4.27dB,单边带噪声系数为10.73dB,l dB压缩点为-13.18dB,三阶输入截点为-3.04dB,功耗为32.4mW,芯片面积为1.8mm×1mm。

摘要：基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网络的双平衡混频器和多级可调电压增益放大器（VGA）并联形式的驱动放大器等技术,降低了输出谐波的幅度并提高输出功率。电路采用SMIC 0.13μm CMOS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为3.6 mm×3.4 mm。测试结果表明,四通道直接上变频发射芯片的发射功率可达15.4 dBm,动态增益不小于36.3 dB,通道隔离度不小于43.3 dB。芯片的功耗为837.6 mW。

摘要：采用双平衡场效应管管堆和巴伦设计了一款适用于短波超宽带接收机的高线性低变频损耗混频器.巴伦由射频铁氧体传输线变压器实现,插入损耗小,工作频带宽.该混频器射频输入频率为0.3～70MHz,覆盖7.8个倍频程,本振输入频率为40.755～110.455MHz,中频输出为40.455MHz.测试结果表明,混频器最佳本振功率在17dBm左右,变频损耗5dB左右,输入三阶截点高于34dBm,本振-中频隔离度大于30dB,本振-射频隔离度大于50dB.

摘要：采用0.5μm Ga As工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器。电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块。混频器的射频（RF）、本振（LO）频率为4-7 GHz,中频（IF）带宽为DC-2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,本振到中频隔离度大于27 dB。1 dB压缩点输入功率大于11 dBm,输入三阶交调点大于20 dBm。该混频器单片集成一款驱动放大器,解决了无源混频器要求大本振功率的问题,变频功能由串联二极管环实现,巴伦采用螺旋式结构,在实现超低变频损耗和良好隔离度的同时,保持了较小的芯片面积。整体芯片面积为1.1 mm×1.2 mm。