摘要：基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道厚度增加明显升高。200 nm厚GaN沟道的双异质结材料方块电阻平均值344.2Ω/□,方阻不均匀性1.69%。HEMT器件工艺验证表明,使用双异质结材料显著抑制了栅漏电,有利于提高器件的耐压特性。

摘要：根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构。这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＰ（衬底）管芯结构，对５９０ｎｍ峰值波长全透明，比ＧａＰ或ＧａＡｌＡｓ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／ＧａＡｓ（衬底）管芯结构的出光率高出两倍，其外量子效率不小于６％。

摘要：本文提出一种新型电调频分器设计，采用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结（ＤＨ）脊形波导（ＲＷＧ）和分布布喇格反射器（ＤＢＲ）结构，通过改变加于器件的反偏压，由电光耦合效应改变波导折射率，以满足四频分要求，实现频率分割的目的，分析计算结果表明：对于１．５５μｍ激光束的传输，频分间隔为８ＧＨｚ时，实现四频分的外加偏压分别约为０，４，８和１２伏。

摘要：InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 。

摘要：利用wxAMPS软件对吸收层In组分为0.2的非极性InGaN基P-I-N结构双异质结太阳能电池进行仿真,分别研究了在P-I结和I-N结处插入In0.1Ga0.9N做为中间带宽插入层对太阳能电池效率的影响。通过仿真发现,随着P-I结处插入层厚度增加,太阳能电池效率先增加后减少,而随着I-N结处插入层厚度增加,太阳能电池效率递增,但厚度超过10 nm时,增加速率迅速减小。最后再利用仿真所得的最优数据设计出同时使用两种插入层的新结构电池,共15 nm的中间带宽插入层将电池效率从10.7%提高至11.2%。