限定检索结果

检索条件"主题词=双极工艺"
30 条 记 录,以下是11-20 订阅
视图:
排序:
一种宽带低噪声中频放大器的设计
收藏 引用
《微电子学》2001年 第5期31卷 370-375页
作者:崔士巡信息产业部电子第二十四研究所重庆400060 
介绍了一种基于高频低噪声双极浅结工艺的低噪声、宽带中频放大器单片集成电路。从电路结构和版图设计两方面详细论述了该电路的增益设计、宽带设计和低噪声设计等设计思路 ,并给出了实验结果。该电路在通讯、导航。
来源:详细信息评论
一种双通道高带宽视频放大器的设计与实现
收藏 引用
《电路与系统学报》2007年 第4期12卷 41-44,141页
作者:王卉 王小军 孙玲玲 马骏杭州电子科技大学CAD研究所 杭州电子科技大学通信工程学院浙江杭州310018 
设计了一种内置75Ω阻抗匹配器的双通道高带宽视频放大电路。该电路频谱特性宽,在6.5MHz频带内有稳定的增益,单通道放大增益为6dB,每个通道都有箝位功能,电路的两个通道可以串联成增益为12dB的单通道。电路根据国内工艺线而设计,性能已...
来源:详细信息评论
一种低功耗、高精度四象限模拟乘法器电路
收藏 引用
《固体电子学研究与进展》2022年 第3期42卷 220-224页
作者:施建磊 孔祥艺 章宇新 韩前磊 吴舒桐中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214000 
基于双极工艺设计了一种低功耗、高精度四象限模拟乘法器,主要包括:带隙基准源、乘法器单元、运算放大器三个模块。带隙基准包含启动电路和核心带隙模块,带隙基准引入二阶高温补偿使得温漂系数仅为2.3×10^(-6)/℃。乘法器采用基本...
来源:详细信息评论
一种8位高速硅D/A转换器的设计
收藏 引用
《微电子学》2004年 第4期34卷 463-465页
作者:何艳红 曾莉 余佳 于奇电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 
 介绍了一种电流舵结构的单调乘法型8位高速硅D/A转换器。着重讨论了为实现高速而采用的全差分电流开关和电流分裂技术及3μm双极工艺。模拟测试结果证明了设计的正确性。
来源:详细信息评论
高共模输入电平的迟滞比较器设计
收藏 引用
《半导体技术》2011年 第8期36卷 623-626页
作者:鞠家欣 张晋芳 廖永波 鲍嘉明 杨兵北方工业大学信息工程学院北京100144 北京交通大学电子信息工程学院北京100044 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 
提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并...
来源:详细信息评论
一种高精度高稳定性振荡器的设计
收藏 引用
《微电子学》2011年 第1期41卷 94-97,102页
作者:陈建立 傅金 朱培生 张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 
提出了一种基于标准双极工艺、能同步外部时钟的低成本RC振荡器。由于采用迟滞技术和高压双极工艺,振荡周期对温度、电压及工艺偏差均有很好的宽容度,且周期大小易于调整。在输入电压为5~40 V、-55℃~125℃温度范围,以及三个电阻工...
来源:详细信息评论
一种宽带、高速运算放大器的设计
收藏 引用
《现代电子技术》2005年 第22期28卷 65-67页
作者:葛维维 刘佑宝西安微电子技术研究所陕西西安710054 
介绍了一种基于双极工艺的高速宽带运算放大器的设计,从电路结构方面详细论述了电路的宽带设计、高速设计等设计思路,将该电路通过计算机模拟,给出了仿真和测试结果。经过投片验证,设计出的运算放大器满足预期指标,取得了比较满意的结...
来源:详细信息评论
1GHz 2μm双极低噪声放大器设计
收藏 引用
《电子元器件应用》2006年 第6期8卷 60-63页
作者:吴国增 李荣强 赵安邦中国电子集团第二十四研究所 
给出了采用2μm双极工艺实现对1GHz低噪声放大器进行设计的具体方案。并用Ansoft公司的DeSigner软件进行了设计仿真,利用该方案设计的放大电路十分简单,可满足一定增益(8dB)且其起伏度小于0.5dB, 同时,该放大器的噪声也很低,在1GHz时,...
来源:详细信息评论
一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器电路设计
收藏 引用
《中国集成电路》2021年 第10期30卷 46-50页
作者:代松 唐毓尚 包磊 袁兴林 陈旺云贵州振华风光半导体有限公司 
基于双极工艺设计了一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器。采用超β管作为输入对管,同时引入新型基极电流补偿电路,使运算放大器具有低偏置电流、高输入阻抗特性。该电路基于40V双极工艺进行设计,仿真结果显示,常温下偏置电流为11pA,...
来源:详细信息评论
一种比较启动Brokaw带隙基准电压设计
收藏 引用
《微处理机》2010年 第6期31卷 10-12页
作者:于海冬 孙显龙 李旷世 揣荣岩沈阳工业大学沈阳110870 
在分析比较启动结构工作原理的基础上,设计了一种比较启动Brokaw带隙基准电压电路。该电路结构简单,性能优异,可以实现启动带隙基准电压电路和低压关断功能。Specture仿真结果表明,其启动结构可以实现低于0.83V自关断。在-40℃~85℃温...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部