摘要：本文介绍了一种无需基准电压的过温保护电路,将具有正温度系数的不同面积三极管BE结电压差放大后再与具有负温度系数的三极管BE结电压进行比较,产生过温保护控制信号。采用对电源电压不敏感的电流偏置结构,保证了过温保护点和过温恢复点的电压稳定性。基于4μm双极工艺设计和流片,测试结果表明:过温保护点在160℃~165℃,过温恢复点在145℃~155℃,与设计值基本吻合。

摘要：设计了一种广泛应用于开关电源的可修调高稳定性单边锯齿波RC振荡器。采用芯片内部5 V线性稳压电源供电,用外部电阻电容确定振荡频率,加入电阻修条技术以调整由于工艺容差引起的振荡电路放电时间的变化。在输入电压为4.9～5.1 V,温度范围为-55℃～125℃,以及三个电阻工艺容差的情况下,进行了HSpice仿真,结果表明,同一工艺条件下振荡器周期的最大偏差为2.8。使用1μm双极工艺流片,振荡电路测试结果表明,频率偏差仅为1.8。

摘要：文章提出了一种基于2μm双极型工艺设计、应用于DC/DC开关电源中的高频振荡电路。该模块产生时钟信号,该时钟信号的频率可以随着负载和电源电压的变化而变化。我们用CadenceSpectre仿真工具对电路的工作状态进行仿真,结果表明该电路在宽电源输入和高、低温范围内都具有良好的性能。本振荡电路不但功能良好,而且结构简单、功耗小,便于集成。该电路已经成功应用在一款总功率240W、25A输出的DC/DC转换器控制芯片中,设计频率随负载大小自行调整,最大为3.2MHz,由于采用高频软开关设计,模块效率达到95%。

摘要：提出了一种基于双极工艺的低成本振荡器电路结构,该振荡器电路利用系统内部参考电压和外接电阻产生的电流信号对电容进行充放电,通过调节外接电阻大小,调节电容充电电流大小,使振荡器频率可以连续调节。通过使用上华1um36vBJT工艺库进行了仿真,验证了振荡器频率在35kHz～135kHz内可调,使振荡频率受温度、电源电压以及工艺偏差的影响降低。

摘要：设计了一种用于14位80MSPS流水线型模数转换器(ADC)的跟踪/保持(T/H)电路。该电路采用全差分结构、互补双极工艺。采用钳位电路提高跟踪/保持电路的线性度,在保持电容之前增加带宽限制电阻来提高跟踪/保持电路的信噪比。在5V单电源供电情况下,基于Zarlink0.6μm互补双极工艺模型,对电路进行了仿真。仿真结果显示,在输入信号为39.9609MHz、80MHz采样频率下,无杂散动态范围(SFDR)为92.81dB、功耗32mW。

摘要：本文介绍了１０位Ｄ／Ａ转换器ＳＤＡ１００的电路结构和工作原理，重点叙述了工艺制作技术以及电路中ＣｒＳｉ薄膜电阻的激光修调技术，并介绍了一些实际制作经验，为以后的设计提供参考。

摘要：实验考察了双极铁碳微电解-接触氧化工艺对比单级工艺的运行效果,并通过改变水力停留时间(HRT)、温度及碱度,寻找双极工艺的最优运行工况。结果表明:在HRT为24 h,投加0.25 g/L碳酸氢钠,控制温度在25~30℃条件下,出水COD可降至200 mg/L以下,并对氨氮去除具有良好的效果。

摘要：本文介绍了一种用于负压LDO芯片的过温保护电路。该电路利用负压带隙基准电压的零温漂特性与三极管基极-发射极电压差的负温漂特性来产生过温控制信号。同时将该过温保护电路集成到一款负压LDO芯片中。负压LDO芯片基于4μm双极工艺流片,测试结果表明:LDO芯片的过温保护点在(165~170)℃,过温恢复点在(95~100)℃,与设计值基本吻合。

摘要：Intersil公司推出首款采用该公司新的专利双极工艺技术的运算放大器ISL28207。Intersil的ISL28207是双40V低功耗双极精密运算放大器，具有出色的直流精度和极好的温漂性能。

摘要：在基于PWM模式的电源管理芯片设计中,斜坡发生电路是必不可少的模块电路。本文中基于华越SB45双极工艺提出了一种电路设计方案,该电路能够极好地完成电源管理芯片的功能需求。