摘要：文章探究了光刻工序的水汽和ITO刻蚀工序的药液结晶对DualGate产品栅极制程的断路影响,通过DOE试验得到影响因子的最佳改善条件,使55寸DualGate产品栅极制程的断路缺陷发生率整体降低36%,为公司带来80.2万元的月度收益,能够对其他高端产品断路缺陷的改善思路、新工艺设备的设计改进,提供参考。

摘要：设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅MOSFET在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.

摘要：利用三维数值仿真工具,对双栅无结型场效应晶体管进行了数值模拟,研究了沟道掺杂浓度深度分布对晶体管性能的影响,并对比分析了当沟道长度缩小到10nm及以下时器件的电学特性。仿真结果表明,相比于沟道为均匀掺杂分布的器件,具有中间低的沟道掺杂深度分布的双栅无结型场效应晶体管具有更优的开关电流比、漏致势垒降低、亚阈值斜率等电学性能和短沟道特性。

摘要：提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计。结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%。在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGTLDMOS的比导通电阻下降了35.4%。

摘要：按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件最好水平为f_0:12GHz,N_F:2.42dB,G_(?):13.89dB。该器件设计合理,工艺经过优化,使器件具有较高的成品率及优品率。

摘要：叙述了外内向功率波复数比的测量方法，给出了散射参数测量的交互换位双信号测量线方法。用此方法测量了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ适用散射参数，并用它设计Ｓ波段混合集成双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ可控增益放大器。测试结果与设计吻合。

摘要：首先描述先进的 0.18μm　SiGe-BiCMOS 生产流程(SiGe　120)并讨论在设计SiGe　90　时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求。在此基础上,我们讨论了针对 40Gb 以上通讯应用而开发的当今世界领先的 200　GHz　SiGe　BiCMOS 加工工艺。此工艺集成了双栅 0.13μm 的数字 CMOS 电路和 SiGe 晶体管电路。

摘要：采用Silvaco软件的Atlas对耗尽型单栅、双栅非晶铟锌氧化物薄膜晶体管SG a-IZO TFT、DG a-IZO TFT进行二维器件模拟。讨论了a-IZO层的厚度、态密度模型参数对耗尽型SG a-IZO TFT的电特性影响。研究发现,当a-IZO层厚度达到60 nm及以上时,器件的关断电流急剧上升。分析了态密度模型参数对单栅器件的电特性影响。对耗尽型SG a-IZO TFT与DG a-IZO TFT的电特性进行了比较。结果表明,DG器件在开启电压、亚阈值摆幅、开态电流等方面表现更佳。

摘要：针对用于矿井提升机钢丝绳张力测量的电子传感器存在可靠性低、抗潮能力差、寿命短等问题,设计了一种光纤光栅传感器。该传感器采用双栅结构,利用差动补偿法消除温度的影响;通过光检测装置检测光栅的中心波长偏移量,根据中心波长偏移量与压力之间的线性关系可间接推算出传感器受到的压力,即为钢丝绳张力。实验及测试结果验证了该传感器的可靠性。

摘要：双栅薄膜晶体管由于其具有可控的阈值电压调节特性，在湿度传感、pH值传感、病毒生物分子探测等领域应用广泛。然而，传统的双栅晶体管都是基于一种典型的三明治结构，半导体沟道被两层栅介质夹在中间，其实质上可以看做是一个底栅晶体管和项栅晶体管的共用沟道复合晶体管，制备这些器件需要多步的薄膜沉积工艺以及精准的对准光刻技术。因此，设计和开发一种具有简单器件工艺的高性能双侧栅晶体管具有重大的研究意义和潜在的应用价值。