摘要：基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片。该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相幅度调制器和威尔金森功率合成器,其中双相幅度调制器采用平衡式结构对幅度和相位失真进行了补偿。当工作电压以10 mV为步进,从-0.9~0 V扫描时,矢量调制器MMIC实现了连续幅度调制和0°~360°的相位调制。测试结果表明,在18~26 GHz频率内,最大调幅深度大于27 dB,插入损耗小于8.1 dB,输入电压驻波比小于1.3∶1,输出电压驻波比小于1.5∶1。平衡式矢量调制器MMIC尺寸为2.4 mm×2.5 mm,该电路具有插入损耗小、芯片尺寸小、功耗低等特点,可广泛应用于数字通信系统中。