摘要：提出了1种可以抵抗双节点翻转的锁存器.该锁存器的反馈回路由保护门、延迟单元以及3选2多数表决器构成.保护门的输出送入表决器进行表决,表决之后的值经过延迟单元之后再反馈给保护门.分析和仿真表明,当单粒子翻转的维持时间小于500 ps时,这种结构不仅可以抵抗双节点翻转,还能抵抗部分3节点翻转以及输入端口的单粒子瞬态.在0.18μm CMOS工艺下,锁存器的面积为186.12μm2,在时钟转换时间和数据转换时间都为0.008~1.5 ns时,锁存器的建立时间为1.165 63~1.328 71 ns.此外,用这种锁存器实现了1套标准单元库,并在此基础上设计了1种序列检测器电路,其面积和动态功耗分别是用3模冗余方法的83.06%和41.99%,是用5模冗余方法的53.99%和25.19%.

摘要：随着集成电路器件特征尺寸的进一步减小,锁存器内部节点之间的距离越来越短。由于内部节点间的电荷共享效应,器件在空间辐射环境中频繁发生单粒子翻转(SEU),受影响节点由单节点扩展到双节点。文章提出了一种新型的锁存器加固结构,利用C单元固有的保持属性,实现对单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)的完全容忍。HSPICE仿真结果表明,相比于其他同类型的加固设计,所提出的锁存器功耗平均下降了34.86%,延迟平均下降了59%,功耗延迟积平均下降了67.91%。PVT分析表明,该锁存器结构对电压、温度、制造工艺的变化不敏感。

摘要：提出一种新颖的单粒子效应加固输入接口电路,采用组合逻辑延迟后运算处理的方案。该电路基于华润上华600 V BCD 0.8μm工艺进行电路设计和流片,并在中科院国家空间科学中心完成单粒子辐照测试。仿真测试结果表明,提出的输入接口电路可以有效免疫线性能量传递值(LET)在80 MeV·cm2/mg以下单粒子翻转(SEU)事件,特别是对多个节点同时发生单粒子翻转事件的情况,提出的电路抗单粒子翻转可靠性较高。