摘要：锥形半导体激光器具有高亮度、高光束质量等特点。通过借助数值模拟仿真软件Lastip,优化设计了976 nm锥形半导体激光器结构。在低光限制因子Г条件下,确定了In Ga As/Al Ga As量子阱厚度及非对称波导厚度比值关键参数,并分析了主振荡器的注入光功率和耦合进锥形区的基侧模衍射分布特性。研究结果表明:与传统的单量子阱器件结构相比,当光限制因子Г相同均为2%时,在工作电流为3 A条件下,优化设计的非对称双量子阱结构主振荡器的基侧模分布更为集中。其注入光功率由2.76 W提升至3.67 W,同时耦合进锥形区的基侧模衍射分布更为均匀,并具有稳定的电光转换效率。

摘要：这篇论文在不对称的夫妇量调查连续变量的纠纷的产生和进化很好(CQW ) 系统。我们的数字结果证明这个 CQW 系统能在洞域的大量起始的状态上被认为是宏观的纠缠的光的来源。这调查能被用于在 CQW 完成宏观的纠缠的光固态中等，因为它的灵活设计和可控制的干扰力量，它在原子媒介是比那更实际的。

摘要：(FWM ) 一个分析方法这里基于四波浪的混合被开发在一个不对称的半导体学习纠缠的状态的产生两倍量井结构。二根横梁(探查和四波浪的混合横梁) 的最大地纠缠的状态能处于一个适当条件被完成，这被发现。而且，我们也证明二根纠缠的横梁在半导体媒介与 ultraslow 组速度宣传。这调查能被用于在半导体完成纠缠的横梁固态中等，因为它的灵活设计和宽可调节的参数，它在原子媒介是比那更实际的。

摘要：The operating parameters such as the internal quantum efficiency (ηi),internal loss (αi) and transparent threshold current density (J0) of double quantum well laser diodes were investigated and identified using the program,Integrated System Engineering-Technical Computer Aided Design (ISE-TCAD). Various thicknesses (6,7,8,10,12 nm) of AlxInyGa1-x-yN barriers with (3 nm) Al0.08In0.08Ga0.84N wells as an active region were studied. The lowest threshold current (Ith),and the highest output power (Pop) were 116 mA and 196 mW respectively,at barriers thickness of 6 nm,Al mole fraction of 10% and In mole fraction of 1%,at an emission wavelength of 359.6 nm.

摘要：我们表明 ultras 的形成有在两倍量井(SDQW ) 结构由使用仅仅低紧张的搏动的激光放射基于 intersubband 转移的一个不对称的半导体的一个四水平的计划的低黑暗光 solitons。与适当条件，我们数字地证明黑暗光 soliton 能与 ultras 旅行低组速度 V g /c ~ 10 −3 。因为它的灵活设计和可控制的干扰力量，如此的一个半导体系统是比它的原子对应物更实际的。在 SDQW 的这个非线性的光过程固态材料可以被用于光延期线和光缓冲区的控制技术。