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检索条件"主题词=反向击穿特性"
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Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究
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《辽宁大学学报（自然科学版）》2011年 第1期38卷 1-4页
作者：刘兴辉 王立伟 刘爽 林洪春 何学宇辽宁大学物理学院辽宁沈阳110036 
构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,...
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