摘要：提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的QgdRds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%。

摘要：在直流输电当中,直流换流阀设备具有核心性的作用。对于整个直流系统的性能和质量来说,直流换流阀的设计性能,发挥着至关重要的意义。在直流换流阀当中,晶闸管法相恢复特性是关键,应串联多支晶闸管,使直流换流阀耐压特性符合规定。而分散性的电荷,会在晶闸管级端,产生不同的电压。基于此,对反向恢复电荷分散性对直流换流阀的影响进行了分析。

摘要：碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介电击穿场强、能带隙和热导率,电力电子设计人员可以利用这些特性来开发比硅基IGBT器件效率更高、功率密度更大的电源转换器。针对这些应用,为了最大限度地减少高频下的导通和开关损耗,需要使用低RDS(on)和低Qrr(体二极管反向恢复电荷)的器件。

摘要：基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。

摘要：采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂p^-区层次掩模版图案,即可实现发射极注入效率的自调节,制造成本低;其反向恢复电荷减小了30.4%,反向电流峰值减小了29%,反向电压峰值减小了6.7%,反向恢复时间减小了11%,开关器件的工作损耗降低,折衷性能更加优良;在V_F基本相当的情况下,反向恢复软度特性更优。