摘要：随着信息技术的高速发展,开发超高速、低能耗、超高集成度的功能器件成为了自旋电子器件的历史使命。反铁磁材料,因其太赫兹级超高频特征以及无杂散磁场的优势,有望成为下一代自旋电子学材料的有利候选。然而,本征反铁磁材料的磁性检测及其操控方面仍存在一定的难度,因此限制着反铁磁材料在信息技术领域中的应用与发展。近年来,稀土/过渡金属(RE/TM)多层膜体系备受人们的关注。由于其内部存在界面反铁磁耦合使其宏观上表现出微弱的磁性却仍保留着内部铁磁特征,有利于器件小型化以及其集成设计,且容易探测其内部磁化状态的变化,是目前最有利于自旋电子学应用的材料候选之一。本文介绍了基于RE/TM多层结构的人工反铁磁薄膜材料研究进展,着重分析了基于Gd和Tb的RE/TM多层膜体系的物理性质和内部反铁磁耦合的机制。最后,结合其物理学特征展望了RE/TM多层结构人工反铁磁薄膜材料的研究前景。