摘要：首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对P型单晶硅太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。然后以获得最优的发射区结构参数为目标，对热扩散工艺和离子注入工艺进行了仿真研究。仿真结果表明，发射区表面浓度和结深的变化对单晶硅太阳电池输出特性产生显著影响。当发射区表面浓度为5×10^20cm^-3，结深为0．1μm时，太阳电池转换效率最高，可达20．39％。若采用热扩散工艺制备发射区，扩散温度范围为825～850℃，扩散时间范围为10～20min；若采用离子注入工艺制备发射区，当注入剂量为1×10^17cm^-2，注入能量为5keV时，退火温度范围为850～875℃，退火时间范围为5～15min。

摘要：为了研究多个地空导弹武器系统对多个来袭目标防空作战目标分配问题,考虑了部署中存在的发射区部分重叠问题,通过分析来袭目标群在飞越发射区时,不同发射区对不同目标覆盖状态的变化,将整个目标分配区间分为若干个分配子区间,通过比较拦截方在各个分配子区间所能获得的最大毁伤效果值,得出最佳分配子区间及其对应的分配方案。设计了基于捕食搜索策略的遗传算法(PSGA),并经过示例仿真,验证了模型和算法的可行性。

摘要：利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,详细分析了不同发射区结深、发射区边缘刻蚀技术和发射区边缘选择性掺杂技术对IBC电池热击穿特性的影响。结果表明:发射区表面浓度越大、结深越深,IBC电池效率越高。当发射区表面浓度为5×1020cm-3、结深为1μm时,转换效率高达23.35%。同时,深结发射区也有助于改善IBC电池的热击穿特性。发射区边缘刻蚀结构不具有改善IBC电池热击穿特性的作用,而发射区边缘选择性掺杂结构可有效改善IBC电池的热击穿特性,从而提高IBC太阳电池组件的可靠性。

摘要：以某型舰空导弹为例,研究了在地(舰)空导弹杀伤区尚未确定的情况下发射区模型的建模方法,侧重于模型误差的分析,给出了武器系统发射区高远界的设计方法和模型验证,并将垂直发射区的结果推广到有航路捷径和俯冲攻击情况。

摘要：对导弹系铣设计进行的综合研究表明,允许发射区的计算和确定提供了导弹主要特性的性能综合,并可用于最终鉴定导弹的性能特性是否满足战术技术要求。本文首先分析了一种先进的空空导弹系统,确定导弹对允许发射区边界敏感的主要性能特点,在此基础上提出了导弹允许发射区的算法。最后简单介绍一种近距离格斗弹的允许发射区计算程序包。

摘要：针对新型舰炮武器与先进制导弹药的技术特点,提出了融合普通弹药与防空导弹优点的制导炮弹拦截空中目标的思路,构建了防空制导炮弹的杀伤空域数学模型。根据防空制导炮弹外弹道的特点进行外弹道建模;基于外弹道模型,分析杀伤区、发射区的影响因素,建立杀伤区、发射区的数学模型;构建了零航路捷径的垂直杀伤区数值模型,设计了一种快速生成不同航路捷径上垂直杀伤区数值模型算法;并针对具体实例进行了数值化仿真分析。仿真实例分析表明,随着目标航路捷径的增大,炮弹的垂直杀伤区范围逐渐减小,构建的防空制导炮弹杀伤空域模型合理有效,对防空制导炮弹的作战使用具有较大的应用价值。

摘要：针对杀伤区在地空导弹射击指挥中的快速应用问题,提出了一种杀伤区数值化建模技术.采用最小二乘法对零航路捷径垂直杀伤区边界数据点进行分段曲线拟合,获得垂直杀伤区拟合数学模型.然后用分段线性插值技术对拟合杀伤区进行处理,用折线函数对拟合曲线进行分段逼近,获得用封闭多边形表示的垂直杀伤区数值模型.根据零航路捷径的垂直杀伤区数值模型,设计了一种快速生成不同航路捷径上垂直杀伤区数值模型的算法.最后,对与杀伤区有关的目标射击诸元参数的计算问题进行了探讨,给出了发射区远、近界等参数的计算模型.通过仿真实例分析表明,构建的模型和算法合理有效,对地空导弹指挥控制系统的研制具有较大的应用价值.

摘要：　从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法。结合双极晶体管的工艺限制,介绍了SiGeHBT的基本原理,讨论了SiGeHBT的发射区/基区/集电区设计。最后,以一个100GHzfmax和fT的HBT为例,对电路制作工艺参数进行了讨论。

摘要：以航路捷径、目标类型、机动特性、到达发射区近界的剩余时间,以及电子干扰为主要影响因素,结合多通道防空武器系统的特点,建立了基于层次分析法和模糊综合决策法的空袭目标威胁评估模型。用层次分析法确定各因素权重,以分段函数的形式给出权重系数。针对一给定的中程防空武器系统,用模糊统计计算各影响因素的隶属函数,并给出了模型的计算流程。仿真结果表明,所设计的模型能较准确地评估来袭目标的危险性,且具有较高的灵敏度。

摘要：木文提出了一个考虑了晶体管热电反馈效应的分布晶体管直流模型,称之为“二维非等温的分布晶体管模型”. 本模型考虑了基区高注入效应、Kirk效应以及由内基区电阻、发射极金属化电极薄层电阻所引起的电流横向及纵向集边效应,并计入了晶体管内温度分布的不均匀性对上述诸效应的影响. 借助计算机,利用下降法求解了描述本模型热电特性的非线性方程组,计算结果给出了晶体管发射区内温度、电流的二维分布数值,从而得到了晶体管热电反馈效应的定量描述,且理论结果与实验吻合良好. 利用本模型可进行功率晶体管的计算机辅助设计,预测功率晶体管的安全工作区并指导器件的可靠性设计.