摘要：为了获得微尺寸半导体桥电容发火的特征参数与设计参数的关系,对20μm×50μm×4μm 60°的半导体桥进行了不同掺杂浓度、发火电容、发火电压及两种点火药剂下的发火试验,获得设计参数与半导体桥的特征能量、特征时间的关系。结果表明:半导体桥的发火电容值从10μF增大到68μF时,高掺杂的半导体桥/斯蒂芬酸铅的最小全发火电压为6.23~4.28V,比低掺杂的半导体桥降低了0.86~1.52V;半导体桥发生电爆所需的电能随着掺杂浓度的提高而减小,但与电压值、电容值、药剂种类无关;发生电爆所需的时间随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而缩短;等离子体加热时间和能量随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而增大。

摘要：针对MEMS安全保险机构的发展对起爆单元平面化的需求,利用SOI片特有的三层结构,开展了硅基平面微雷管的设计研究。以SOI片的外延硅作为平面微雷管原位装药用专用电极,提升了微雷管结构与原位装药工艺的兼容性。以SOI片的本体硅作为装药腔体层,减少了微雷管的轴向尺寸,提高集成度。性能试验表明该硅基平面微雷管实现了发火及起爆下级装药的功能。