摘要：本文设计了计及特性阻抗不连续性的两频两节及三频三节变换器.基于理想传输线模型和微带传输线理论,建立了计及微带线"台阶"效应的设计方程,采用遗传算法实现优化设计,取得了在纯电阻源阻抗和负载阻抗以及随频率变化的源阻抗和负载阻抗两种情况下的两频两节及三频三节阻抗变换器设计参数.用ADS(Advanced DesignSystem)商用软件对基于上述设计参数的微带电路进行电磁仿真的数值结果显示了该设计的有效性.

摘要：由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解器件不同工作状态下的电荷分布,建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型,探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响.与实验数据的对比结果表明,所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性,验证了模型的正确性.该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用,并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中,为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础.

摘要：目的为提高快速成型的精度,研究降低熔融沉积工艺中产生台阶效应造成的误差的措施.方法分析了熔融沉积成形过程中影响误差的因素,根据熔融沉积工艺中采用逐层叠加制造的基本思想,对切片加工引起的台阶效应产生的负偏差进行了分析,绘制二维CAD模型,运用求导计算和列表分析,结合熔融沉积工艺的特点,确定了影响台阶效应的主要因素.结果通过对二维CAD模型进行求导计算和列表分析,推导出计算台阶误差的公式,得出了影响误差的因素曲线图.结论台阶误差随着加工层厚的增大而增大.台阶误差随着α角的增大而增大,且在0~60°时增速较快,60°~90°时增速逐渐放缓直至平稳.台阶误差随着制件表面曲率的增大而增大.制定了相应的解决办法,提出了减小分层厚度、选择合理加工方向、自适应分层法和斜切法四种减小台阶误差的方法,对以后熔融沉积工艺精度的改进方面的研究具有参考价值.

摘要：以FDM成型工艺程序为线索,分析可能影响FDM成型精度因素。研究了FDM快速成型原理导致的原理性误差,FDM快速成型是层堆积成型,成型件是层层堆积粘接而成,这就必然会形成台阶误差而影响成型件的表面精度。在分析台阶误差产生原因的基础上,找出影响台阶误差的因素及其变化规律,在此基础上提出减小台阶误差的措施。针对快速成型时采用逐层叠加制造的基本思想,对成型时的台阶效应引起的正偏差进行了分析计算,绘出了影响该误差的因素及其误差曲线图,供有关设计和制造技术人员参考。

摘要：分析了快速成型技术中数据处理过程出现的台阶效应、STL逼近误差的来源及其对快速成型制造的影响,并就减小这些误差的国内外研究现状进行介绍、分析和讨论。

摘要：在快速成型工艺中,采用光固化成型和熔融沉积成型进行实体制造时需要添加支撑,然而添加支撑不合理时会造成精度损失。另外不论是CAD模型、STL模型还是点云模型,当成型面与成型方向存在一定角度时就会产生台阶效应,降低成型精度。综合以上两方面的考虑,提出了基于任意分层方向的点云模型等厚分层算法,使用MATLAB软件实现本算法并进行了模拟实验,实验证明本算法在一定程度上降低了添加支撑不合理和台阶效应引起的精度损失。最后本文引入了模型的失真评价指数来进一步佐证本算法的可靠性。

摘要：为了减小快速成型数据处理中的台阶效应,提高成型件的表面精度,提出了基于布尔运算的层厚细分方法。该方法通过二维相邻层轮廓数据间的布尔运算,计算得到细分层台阶效应部分的数据,在成型过程中对细分层该部分区域成型,从而减小了台阶效应。实验结果表明:在快速成型中,采用该层厚细分方法能有效地提高成型件的表面精度。

摘要：提出了一种考虑台阶效应的四频功率分配器的新分析设计方法,它以遗传算法为基础。根据理想传输线模型,四频等分Wilkinson功分器主要由4节阻抗变换器与4个隔离电阻构成,文中先采用遗传算法并结合偶模分析方法进行对阻抗变换器参数的优化设计,然后再在ADS软件完成隔离电阻的设置。为验证该方法的正确性,设计了0~5 GHz的四频Wilkinson功分器,实验结果表明,在所需的多个频点均拥有良好匹配与隔离度。

摘要：文章通过对两款切片软件(Cura和Simplify3D)的工艺路径规划研究,发现虽然两者有不同的填充方式,但均采用了复合填充的方式,能够融合往复直线填充和根据边界曲线的偏置填充方式,而且从外到内的填充打印使模型得到更好的表面质量,同时能够降低次品率和常见的台阶效应及拉丝现象。研究表明,优化后的工艺参数有助于提升产品的表面质量和节省打印时间。

摘要：喷管内型面由不同材料对接而成,对接面处不可避免地会出现烧蚀台阶。本文对喷管的烧蚀台阶现象进行分析,说明了烧蚀台阶的成因和不利影响;对台阶对局部流场的影响进行仿真,展示了不同尺度的涡流现象;对不同台阶位置和深度时的喷管内流场进行计算,分析了其对喷管性能的影响。计算结果表明喉衬后缘的大尺寸烧蚀台阶对喷管性能影响很大,必须在喷管设计中予以避免。