文献检索-宁波市创意产业特色资源库

万里学院
图书馆
pdf阅读器下载
微信
微博
联系客服
旧版入口
登录
注册

限定检索结果

检索条件"主题词=叶晖"

共 1 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

视图：

排序：

晶体管、MOS 器件: 收藏
分享
引用; 《电子科技文摘》2003年第5期 25-25页; Y2002-63306-626 0309486栅极长度为100nm 高电子迁移率晶体管的设计与实现=Design and realization of sub 100nm gate lengthHEMTs[会,英]/Parenty,T.& Bollaert,S.//2001IEEE International Conference on Indiurn Phosphide and...; Y2002-63306-626 0309486栅极长度为100nm 高电子迁移率晶体管的设计与实现=Design and realization of sub 100nm gate lengthHEMTs[会,英]/Parenty,T.& Bollaert,S.//2001IEEE International Conference on Indiurn Phosphide andRelated Materials.—626～629(E); 来源：详细信息评论

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共1页<< <1> >>

聚类工具回到顶部

高级检索 表达式检索

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

高级检索 表达式检索

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

限定检索结果

保存检索档案

请选择保存的检索档案：

收藏书架

请选择收藏分类：

检索条件订阅

申请转借

引用

高级检索 表达式检索

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

高级检索 表达式检索

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

限定检索结果

保存检索档案

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

收藏书架

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

检索条件订阅

申请转借

引用

高级检索表达式检索

高级检索表达式检索

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：