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基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能: 收藏
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引用; 《功能材料与器件学报》2008年第3期14卷 609-613页; 作者：徐成刘波冯高明吴良才宋志棠封松林 Bomy Chen中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 Graduate School of Chinese Academy of Sciences; 采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器...; 采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。; 来源：详细信息评论

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