摘要：针对卫星系统对于微波大功率放大器的需求,研制了L频段200 W高效率固态功率放大器,对其设计方法和关键技术进行了详细论述。应用低温共烧多层陶瓷技术,实现了射频电路的高集成和小型化;基于第三代半导体器件,应用波形赋形及线性补偿技术,提升了射频电路的功率和效率;采用移相全桥拓扑,研制了高效率、大功率二次电源。在1.45~1.55 GHz的频带范围内,固放整机输出功率大于200 W,效率高于60%,3阶交调优于18 dBc,同时具备30 dB增益可调,360°内步进5.6°的相位可调能力。试验结果表明,该固放为目前国内星载领域连续波功率和效率最高的单机。

摘要：聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石和热管的应用和工艺攻关,克服了多热源、高热流的工程瓶颈。Q频段和W频段固放首次在轨应用,以及V频段固放在地面发射机中的应用。考虑到严苛的空间考核条件以及器件为满足在轨长寿命的降额要求,产品均性能优良稳定。文中的Q频段和W频段固放是我国首次开发并在轨搭载验证的星载连续波固态功率放大器,为我国后续极高频段高通量卫星的载荷实现提供了有力技术支撑。

摘要：介绍了一种基于GaN功率放大芯片的Ku波段宽带固态功率放大器的设计与实现。通过采用目前已经成熟的合成技术,进行了128路的功率合成,获得了大于1 000W的宽带输出功率和20%的功率附加效率,并分析了基于GaN芯片的固态功放的优势。

摘要：本文设计并分析了一种基于波导空间功率合成技术的U波段(40—60 GHz)功率放大器,采用E面T型结功率分配/合成结构和波导-微带转换实现宽带、低损耗的四路功率合成网络,建模仿真优化后加工制造实物,在全频段内测得无源背靠背损耗小于1.3 dB,与仿真结果吻合较好。装配4片某国产放大芯片后实测得在40—60 GHz内饱和输出功率大于37.8 dBm(6.03 W),其中在40—54 GHz内输出功率优于40 dBm(10 W),与输入功率相比,增益为7 dB左右,合成效率超过了80%。

摘要：基于LDMOS FET的高增益、高输出功率、低功耗和良好的散热特性,分别设计了S波段45W和180W固态功率放大器。其中45W功率放大器作为驱动放大器,由前级输出功率2W的放大器驱动,输出经3个3dB电桥分成4个等幅同相的支路,每个支路分别驱动1个180W功率放大器,最后由4路平面径向波导功率合成器直接进行4路合成获得500W输出功率。

摘要：讨论固态功率放大器的典型线性化技术，通过比较这些线性化技术，得到 一些有益的结论，对固态功率放大器的线性化工程设计有实用意义。

摘要：本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内，实现34．8dBm输出功率，55dB增益的良好电性能，具有结构简单、加工简易等特点.

摘要：本文讨论了固态功率放大器的典型线性化技术,通过比较这些线性化技术,得到一些有益的结论,对固态功率放大器的线性化工程设计具有非常实用的意义。

摘要：本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计。通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性。最后,给出了测试数据,它在2GHz^4GHz的频带范围内,输入功率为40mW时,输出功率大于20W,带内功率起伏小于1. 5dB。

摘要：文章对L波段固态功率放大器整机结构热设计进行了研究,并结合L波段固态功率放大器设计实例,最后给出了整机的仿真及实物测试结果。