摘要：研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。

摘要：简述了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与传统Si半导体材料相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有明显优势。SiC宽禁带功率器件在输出功率、功率密度、工作频率、环境适应性等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景。文中利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段1 kW功率放大器,对SiC宽禁带功率放大器进行了性能测试,根据实验数据分析了SiC宽禁带功率器件对固态雷达发射机性能的改善。

摘要：仿真分析了由于高功率放大器(High Power Amplifier,HPA)的非线性失真对OFDM信号造成的影响,设计了基于清华大学DMB-T高清晰度数字电视标准的SSPA(Solid State Power Amplifier)3W功放,利用了多项式拟合及FPGA技术,考虑到曲线拟合误差和HPA的特性,采用了分段拟合,硬件实现了SSPA的预失真,可将带外功率失真降低约10dB左右,在很大程度上抑制了带外及带内失真。

摘要：介绍了SiC宽禁带功率器件的特性,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段100W功率放大器。对SiC宽禁带功率放大器进行性能测试和环境实验,分析了SiC宽禁带功率器件的性能特点和优势。SiC宽禁带功率器件有利于提高功率放大器的工作带宽,改善功率放大器的环境适应性。

摘要：基于硅微机械加工工艺,设计并制作一款W波段4路硅基波导功分/合成器。通过在8英寸的硅晶圆上采用干法刻蚀和晶圆级键合等工艺途径实现了硅基波导结构。根据硅微机械加工工艺的特点,设计了一种基于H面T型结和3dB耦合桥结构的波导功分/合成器。该功分/合成器表现出的损耗为0.25 dB。最后,采用该硅基功分/合成器对4只2W的GaN功率单片进行了功率合成,研制了W波段硅基合成功率放大器。测试结果表明,在92∼96 GHz的频率范围内,输入功率30 dBm的条件下,输出功率在7.03 W至8.05 W之间,典型电源附加效率为15%,平均合成效率为88%。

摘要：阐述了Ku频段固体放大器(SSPA)的原理方案,对固体功率放大器链和矩形谐振腔四路功分器/合成器进行了CAD设计。研制的SSPA样机的主要技术指标为:中心频率12GHz,带宽100MZz,输出功率大于10W,小信号增益59dB,大信号增益54dB,噪声系数小于3.5dB。

摘要：星用X频段功率放大器主要用于遥感卫星数传分系统中,其输出功率直接影响数传系统的EIRP值。文章对星用X频段固态功率放大器的设计进行了研究,为实现小型化,设计了一款模块替代了前期分立电路。研制成功的固态功率放大器在主要性能指标与引进件相当,效率更高,质量更轻。

摘要：提出了一种特定增益和相位补偿的反射式宽带线性化器设计方法,并通过此方法设计了一种补偿固态功率放大器失真特性的预失真电路。利用肖特基二极管产生非线性补偿,根据电路拓扑结构,利用matlab优化工具找到单频点处特定增益补偿和相位补偿特性的并联负载值,改变频点,并重复上述步骤,可进一步得到特定增益和相位补偿所需的并联负载随频率的变化关系(即Z_(L)~f曲线)。利用ADS仿真软件优化设计使二极管后端阻抗随频率的变化逼近Z_(L)-f曲线。仿真的电路增益补偿和相位补偿分别为6 dB和−40°。最终实测频率范围为9.4~11.4 GHz,增益扩张在3.9~4.4 dB,相位补偿在−32.3°~−41.5°,频带特性良好,并且相对带宽达到了19.2%。通过改变二极管直流偏置电压,还实现了补偿曲线的斜率可调。

摘要：为了满足C波段固体功率放大器高可靠性、支持在线维护的需求,提出了一种支持热插拔的功放模块的设计方案。设计了一种基于GaN的功放模块,通过对模块的供电管理、结构设计实现了在功放整机机设备不断电的情况下对模块进行热插拔更换,从而提高了整机设备的可靠性,可维护性,保证了设备的不间断工作。

摘要：利用波导电桥和微带双探针设计了一种Ku波段80 W固态功率放大器。波导电桥用于提高合成通道间的隔离度,波导-微带双探针则可提高模块集成度,从而实现了高密度集成下的大功率输出。该功率放大器在13.5～14.5 GHz频率范围内可实现80 W脉冲功率输出,且合成效率高于81％,附加效率高于25％。