摘要：提出在Al In P窗口层上,利用纳米热压印技术加工微圆锥阵列结构实现宽光谱减反射膜的方法。通过设计仿真,Al In P微圆锥阵列结构,可实现400~1 700 nm光谱范围内平均反射率2.5%。纳米热压印技术利用制作的模板,在温度达到PMMA聚合物玻璃转化温度之上后施加一定的压力将模板压印到PMMA聚合物表面,使得纳米级模板结构转移到样品上。采用Obduct纳米压印机,研究图形转移的优化参数,制备出了具有高分辨率的热压印图形,为实现Al In P微圆锥阵列结构打下了良好的基础。

摘要：针对材料专业人才培养需求和微电子制造技术实验的特点,设计了一个以LED芯片封装项目为对象,以图形转移技术为依托的实验教学案例。通过对该案例的实验内容、实施过程、课程思政设计等多方面研讨,展开对图形转移技术实验案例的研究与探索。以一个封装支架的制造贯穿整个实验过程,综合运用电子材料、工艺制造设备、测量设备,构建完善的实验流程,以期提升学生利用理论知识解决实际问题的能力,增强学生对电子材料理论知识的理解,打造一个电子材料实践应用平台,促进学科交叉融合教学建设。

摘要：提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5μm。该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻。

摘要：本文介绍了玻璃底片在PCB和LCD图像转移中的应用优点。

摘要：随着电子产品高精度成像的需求,对印制电路板的设计与制造的要求也越来越高。这推动了PCB生产所需的曝光设备的研制。为此研发出平行光曝光设备是制作密集细线路的关键。文章介绍了平行曝光机工作原理,解析了高精密度平行光曝光机图形转移技术要点,如PCB粗糙度、贴膜、曝光、显影等。实验结果表明:可以从原来的0.127mm/0.127mm(5mil/5mil)线路能力提升到0.05mm/0.05mm(2mil/2mil)能力,实现了向精细线路的大跨越,为制作高精密度线路板提供了强大的技术基础。

摘要：着重介绍对微电子技术发展有重大意义的集成电路关键技术的进展情况 .MOS FET结构的探索创新、高K和低K绝缘材料的开发运用、铜布线芯片技术、极紫外线曝光技术以及SoC设计技术等里程碑式的进展 ,使集成电路朝着规模越来越大、图形线条越来越细、功耗越来越低、工作速度越来越快的方向不断发展 ,为 2

摘要：针对传统的纳米压印装置的压头存在定位偏移、压印压力施加不均匀以及脱模过程中粘连等现象,设计并研制了防抖动的小型热压印装置。通过使五边形压头直连拉伸实验机以及对稳定装置和活塞帽形状的改进,可有效保证压印过程以及脱模过程中压印压力的均匀性。利用扫描电子显微镜(SEM)分别对压印压力7.5、20和40 MPa下制备的微结构进行了表征和分析。结果表明,压印压力为7.5 MPa时微结构的图形转移效果更优,制备的微结构最小直径可达3μm。验证了改进后的热压印装置可有效提高定位精度,进而保证压印精确性,且通过缩减热压装置的体积,可实现微结构低成本、高效及大规模的生产。

摘要：用CF4/CHF3作为工作气体对石英和BK 7玻璃进行了研究,分析了气体组分、气体流量和射频偏压等几种因素对刻蚀速率的影响,结果表明刻蚀速率与射频偏压的均方根成正比。在1 CF4∶1CHF3的等离子体中由于与光刻胶良好的刻蚀选择比,在石英基片上获得了侧壁陡直的槽形。用光学表面轮廓仪观测的结果表明偏压的增加和过高的气体流量易使基片表面质量下降。

摘要：随着电子工业的发展,电子元器件的集成度越来越高,体积越来越小,市场对PCB上BGA的要求也越来越高,为保证产品有较高的集程度,客户在设计BGA时往往会为了增加密度将pitch减小,从而在给线路制作增加难度的同时也改变了原有的结构。本文主要通过对0.5 mm间距BGA两阶HDI及0.4 mm间距BGA一阶HDI在设计、制作流程及制作能力上的不同进行分析后二阶HDI转为一阶HDI设计是可行的,但同时也会增加线路的制作难度,为降低制作难度,我们对涨缩、图形转移及阻焊对位精度进行了系统分析控制,目前此类设计的板已经实现批量生产。

摘要：近年来,小孔、细线、高层次、多重埋孔形式的高难度PCB已成为一种趋势。然而,受材料、设备及工艺的限制,如果一味追求高难度,必将大幅度增加PCB的造价、制造周期及工艺难度。