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一款异步256kB SRAM的设计: 收藏
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引用; 《电子与封装》2007年第10期7卷 17-20页; 作者：潘培勇李红征江南大学信息工程学院江苏无锡214036 中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035; 在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展。文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工...; 在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展。文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns。; 来源：详细信息评论

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