摘要：VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。

摘要：本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。

摘要：本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。

摘要：对传统分频器电路工作在低电压 (1V)时存在的问题进行了分析 ,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构 ,将 NMOS和 PMOS管的直流偏置电压分开 ,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题 .采用 0 .18μmCMOS工艺参数进行仿真的结果表明 ,该分频器在 1V的电源电压下 ,能够工作的最高输入频率为 19GHz,功耗仅为 2 .5 m W.

摘要：器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器件的优化设计，从而更大程度地提高电路与系统性能具有重要的指导意义。

摘要：本文介绍为朗讯ＯＴＵＬ－ １４０ 系统设计的一种高性能、高可靠性的１４０ Ｍｂｉｔ／ｓ ＰＩＮ－ ＦＥＴ组件的设计以及对组件进行严格的可靠性试验。试验表明，该组件具有无需调试，灵敏度好，性能稳定，适于量产等优点。

摘要：利用谐波平衡 (HB)分析方法 ,对微波大功率MESFET管芯进行了输入、输出匹配电路设计。首先讨论了对非线性MESFET等效电路网络进行非线性与线性网络的划分方法。然后 ,利用所建立的GaAsMESFET非线性等效电路模型 ,描述了电路匹配设计的方法、步骤及计算结果 ,并且将计算结果与测量结果进行比较。结果表明方法是成功的 ,具有非常重要的工程意义 ,为微波功率GaAsMESFET的实用化奠定了技术基础。

摘要：对于短栅砷化镓场效应晶体管结构,泊松方程和载流子连续方程的二维数值解已被用来予言器件的性能。但是,还没有提出一种可用来设计场效应晶体管的普遍承认的简化方法。在本文中,介绍了一种简化的设计技术和一种迭代渐近的器件分析方法,它们适用于栅长小至1微米的砷化镓场效应晶体管。通过简单地对1微米栅的场效应晶体管的一些适当的曲线进行换算,这种设计技术可以确定任意栅尺寸的器件的漏饱和电流和饱和跨导。还给出了一些曲线,它们表示了任意几何形状的场效应晶体管的有效跨导与本征跨导之间的关系。迭代渐近分析方法可用于确定制造器件用的外延层的掺杂浓度N_D及其厚度α。通过简单地测量在零栅压和夹断电压时的漏电流和跨导,提出了一种方法,它允许以一种独立的方式确定上述参数。与通常简单测量夹断电压(只给出N_D·α~2乘积的变化)的方法相反,这种方法提供了一种在整个片子上测绘N_D和α的途径。

摘要：本文论述了温度对器件可靠性的影响、附加静态功耗电流I_(CC△)的概念、I_(CC△)的产生机理以及影响I_(CC△)的内外部因素。提醒电子系统设计者必须对HCT系列电路的I_(CC△)引起重视,确保系统的可靠性。

摘要：SMPSIGBT是IGBT的最新一代,为用于高频高压SMPS专门设计。设计人员目前可以用SMPSIGBT替代MOSFET,提高电源密度和效率,减小整个系统成本。