摘要：将EDA(电子设计自动化系统)及ATPG(自动测试图形产生)工具与ATE(自动测试设备)集成在一起,使得I_(DDQ)测试更为实用。

摘要：本文研究了背面引线离子敏感场效应器件Ｂａｃｋｓｉｄｅｃｏｎｔａｃｔｉｏｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ）的特殊工艺技术。重点阐述了双面光刻，各向异性腐蚀，深坑加工，腐蚀自停止等技术，实现了源漏电极从芯片背面引出，给出了扫描电镜分析照片。提出了一个合理，实用的腐蚀配方及条件：在７７℃恒温腐蚀溶液中（ＫＯＨ：ＩＰＡ：Ｈ２Ｏ＝２５．６：１６．５ｍｌ：６０ｍｌ），腐蚀约５小时３０分钟，腐蚀速率为５５μｍ／ｈ－６０μｍ／ｈ。得到了光滑、平整的坑底和坑壁，棱角分明斜度正常（５４．７°），重复性好，实验结果表明其接触电阻小于４Ω，达到ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ设计要求。

摘要：飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，

摘要：2005年02月17日，国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出两款获Q101证书的55V汽车电子HEXFET功率MOSFETIRF3805S-7P和IRF1405ZS-7P。这两种器件可分别提供连续电流160A和120A，设计用于大占空比电流汽车电子，如电功率控制(EPS)、14V综合起动器交流发电机(ISA)系统和先进的交流发电机有源整流。

摘要：飞兆半导体公司推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件——FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。

摘要：手提式电子学的新一代产品，诸如电池电话、数码相机和个人数字助理(PDA)等的厂商在致力于减少手提式产品体积时还要求增加产品的功能，其中包括改善热性能和延长电池寿命。因此，设计者会继续研究上述产品的结构、元器件、布局和封装，以便提高DC～DC变换器的效率。然而提高效率的每个百分比都可转化为较长的电池寿命和更好的热处理，其结果将使上述产品具有较高的长期可靠性。