摘要：1983年7月28日,美国电话电报公司(AT&T)的第一颗“电传星3A”卫星(Telstar 3A)从佛罗里达州的卡纳维拉尔角用一枚“德尔它”火箭发射入轨。该卫星是电话电报公司购买的3颗卫星中的第一颗。目前,该公司租用了通信卫星公司的3颗“通信星”(Comstar)的信道(通用电话电子公司也租用这些卫星上的信道)。

摘要：Intersil公司目前宣布推出高效4通道直流／直流转换器，可用于电视或桌面监视器等的大屏（19英寸或更大）TFT—LCD（薄膜晶体管液晶显示器）。EL7585A具有集成3．5AFET（场效应晶体管），可为大型显示屏提供高输出功率。它还具有极高的电源效率，引入了冷却运行系统，通过提高集成度缩小印制电路设计的面积。

摘要：场效应晶体管简称FET，其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等，

摘要：美国国家半导体公司推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器LM3475。LM3475采用小巧的SOT23-5封装，设有可以简精系统设计的迟滞控制电路，无需为系统提供外部补偿，多种不同的元件都可稳定操作，而系统则可以作出快速瞬态响应。迟滞控制电路甚至在极小负载下也可支持高效率操作。P场效应晶体管结构的优点是可以降低所需元件的数目，将占空度提高至100％，操作时只产生较低压降。

摘要：DRV8871扩展了TI的有刷DC电机驱动器产品组合，是3款具有集成场效应晶体管（FET）的全新有刷DC驱动器中的其中之一，主要是针对空间受限而设计开发。DRV8870具有集成稳压功能，并且可以将电流限制到一个外部电流感测电阻器上。此外，它还可以提供故障监视功能，从而增加系统的可靠性。

摘要：Diodes公司推出ZXLD1371 LED驱动器控制器，通过把输入工作电压范围扩展到从60V一直到最低的5．0V，使其应用范围更为宽广，包括输入电压变异最大的汽车照明以及12V交流供电的系统。该控制器灵活多用。通过驱动外接的场效应晶体管（FET），可构成降压、升压及升降压的驱动器电路。在升压模式下，它可以准确地驱动多达二十个高电流的LED。

摘要：日前获悉，Analog Devices，Inc．（简称ADI）近期推出集成式电源管理开关稳压器系列的最新成员ADP2118DC／DC开关稳压器。据介绍，这款新型集成式3A、降压型DC／DC同步稳压器包含低导通电阻开关FET（场效应晶体管），可最大限度地提高效率，并集成了内部回路补偿、电源良好指示器、精密使能、跟踪和同步功能，以简化负载点电源系统的设计。

摘要：[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑；科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。目前，大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管：使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的P型。这两种晶体管一般不会相互转化。而德累斯顿工业大学和德奇梦达公司携手研制的新式晶体管可通过电信号对其编程，让其自我重新装配，游走于n型晶体管和p型晶体管之间。

摘要：吉时利（Keithley）仪器公司日前推出两款2600系列数字源表2611和2612。2611和2612在吉时利去年推出的数字源测量单元（SMU）平台上，增加了更高的电压和电流测量能力，有效降低了大量电子元器件的测试成本。2611和2612具备的200V和10A的量程，使其成为功能测试、硅元素及复合半导体器件如FET（场效应晶体管存储器）、二极管、电压调节器、光电器件的I-V特性测试的理想选择。与同系列中其它2600系列数字源表相比，2611和2612将现有最高的数据吞吐量SMU技术与紧凑的可升级的波形因子相结合，从而可实现从1到16个SMU通道的无缝系统整合。

摘要：美国国家半导体公司推出两款全新的固定频率、电流模式升压直流／直流转换器。这两款型号分别为LM3551及LM3552的转换器芯片采用小巧的14引脚LLP封装，而且都内置两个N沟道场效应晶体管（NFET），可为内置相机功能的便携式电子产品提供准确的亮度控制功能，以准确控制闪光灯发光二极管的亮度，因此这两款转换器最适用于内置相机的便携式电子产品如移动电话及个人数字助理。LM3551及LM3552直流／直流转换器都设有高功率的闪光灯模式及低功率的电筒模式，可以通过电简／闪光灯引脚驱动一个或多个高电流闪光灯发光二极管。