摘要：提出了一种采用肖特基漏极(SD)与场板相结合、实现硅基垂直mosfet器件反向阻断应用的技术。基于该技术,采用二维仿真提出并研究了两种新型垂直mosfet器件,即带有垂直场板(VFP)的SD-VFP-MOS器件和带有倾斜场板(SFP)的SD-SFP-MOS器件。相比采用肖特基漏极的mosfet(SD-MOS)和采用超结和肖特基漏极的mosfet(SD-SJ-MOS),所提出的SD-VFP-MOS,尤其是SD-SFP-MOS,反向击穿电压有显著提高,且几乎不影响导通特性。开展了器件的开态电流密度、关态电势分布、关态电流密度和电场分布分析,揭示了VFP和SFP提高器件反向阻断能力的内在机理。详细讨论了场板结构参数对器件反向击穿电压和场板效率的影响,研究结果对于SD-VFP-MOS和SD-SFP-MOS的设计具有重要意义。

摘要：针对纳米器件应用程序,本文设计了两侧绝缘支柱上带有双栅结构的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet);考虑掺杂效应对垂直通道长度的影响,并对这些Lg=50nm的小型设备的工作效果进行分析;将Lg为50nm的设备与传统平面mosfet进行比较,进而分析其性能;最后对创新设计进行评估,在纳米级领域中将结合了电介质容器(DP)的垂直mosfet转塔与标准垂直mosfet的设备性能进行全面的分析比较。结果表明优化掺杂效应可使垂直mosfet的性能得到极大增强。在DP的排放端附近,源极和漏极之间的电荷共享现象减少,提高了势垒区的栅控制效果,抑制了纳米器件结构的短沟道效应(SCE)。