摘要：为了有效降低模拟集成电路的功耗，提高工艺兼容性，文中提出了一种全CMOS结构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法．该方法基于工作在亚阈值区的MOS管，利用胛AT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比．仿真结果表明：在1．0V的电源电压下，输出基准电压为609mV，温度系数为46×10^-6／K，静态工作电流仅为1．23μA；在1．0～5．0V的电源电压变化范围内，电压灵敏度为130μV／V，低频电源电压抑制比为74．0dB．由于使用了无寄生双极型晶体管的全CMOS结构，该电路具有良好的CMOS工艺兼容性．

摘要：针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5~3.3V,线性调整率为0.428%V-1,功耗最低仅为0.41nW;在1.8V电源电压、-40~125℃温度范围内,温度系数为4.53×10-6℃-1,输出电压为230mV;1kHz下电源抑制比为-60dB,芯片版图面积为625μm2。该基准电压源可满足植入式医疗、可穿戴设备和物联网等系统对芯片的低压低功耗要求。

摘要：分析了基准电压源两个误差:温度误差、运算放大器失调。详细分析了解决运算放大器失调、温度补偿的方法;设计出产生多个基准电压源;同时给出带负载等问题的解决方法,并指出今后的发展趋势。

摘要：利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度。Hspice仿真结果表明,在0.95V电源电压下,输出基准电压为233.9mV,温度系数为7.6×10-6/°C,30Hz频率下输出频带噪声谱线密度是15nV/Hz。在0.9～2.0V的电源电压范围内,室温下基准电压的变化为1.7mV。流片后的测试结果验证了所设计的基准电压源能工作于较低电源电压,输出基准电压的温度系数小,噪声与功耗低。

摘要：设计了一种基准电压源电路。在分析传统带隙基准结构的基础上,该电路不采用运放结构,避免了运放失调电压对基准源的影响,并加入内部正、负反馈回路,对基准绝对数值进行补偿。仿真结果表明,当温度在-40℃~140℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数小于1.622×10-5/℃,电源抑制比高达98dB,符合设计要求。

摘要：提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.

摘要：介绍了一种新型的可修调低功耗基准电压源。为适应低功耗集成电路应用，该设计采用共源共栅结构代替传统的放大器结构，使基准电压源的功耗大大降低；为克服由模拟集成电路设计工艺波动而导致的电阻值不精确的问题，该设计引入了电阻修调电路，使该基准电压源在各个工艺角下都能有很好的基准电压输出。同时，隔离式的电阻修调改善了传统的直接熔丝修调带来的噪声影响。在SMIC0．18μm3．3V标准CMOS工艺下应用spectre仿真，结果表明，温度变化范围为-40℃～100℃时，温度变化1℃，电压变化量为十万分之一，室温下的参考电压输出为1．22V，3．3V电源电压下的功耗约为3．6μW。该基准电压结构适用于低功耗集成电路设计。

摘要：采用0.5μm CMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源.提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比.此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.Spice仿真结果表明:低频时电源抑制比可达70dB;在-40～120℃范围内,输出变化仅为0.004V,温度系数可达25×10-6V/℃;静态功耗小,在电源电压Vdd=3.3V时,总功耗约为0.025mW.

摘要：设计了一种用于超低功耗线性稳压器电路的基准电压源,研究了NMOSFET阈值电压的温度特性。采用耗尽/增强型电压基准结构,显著降低了功耗。采用共源共栅型结构,提高了电源抑制比。设计了数模混合集成熔丝修调网络,优化了输出电压精度和温漂。电路基于0.35μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,在2.2~5.5 V输入电压下,基准电压为814 mV,精度可达±1%。在-40℃~125℃范围内,温漂系数为2.52×10-5/℃。低频下,电源抑制比为-99.17 dB,静态电流低至27.4 nA。

摘要：基于带隙基准原理,通过优化电路结构和采用BiCMOS技术,提出一种精度高、噪声小的带隙基准源电路。利用具有高开环增益的折叠式共源共栅放大器,提高了低频电压抑制比;应用低跨导PMOS对管及电路输出端低通滤波器,实现了更低的噪声输出;合理的版图设计减小了失调电压带来的影响。Hspice仿真结果表明,在3V电源电压下,输出基准电压为1.2182mV,温度系数为1.257×10-5/℃;频率从103～105 Hz变化时,输出噪声最大值的变化量小于5μV。流片测试结果表明,该基准源输出基准电压的电源抑制比高,温度系数小,噪声与功耗低。