摘要：一、概述精密基准电压源是设计模/数转换电路时常用的器件之一。笔者介绍的AD584是美国AD 公司推出的一种精密基准电源,通过对引脚编程可实现不同电压输出。

摘要：本文介绍一种采用５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺制造的的集成基准电压源，在－２０℃到１００℃范围内其输出电压稳定性可达５０ｐｐｍ／℃。它的基本工作原理是建立在对双极晶体管ＶＢＥ的负温度系数以正温度系数来补偿，从而获得温度稳定的基准电压。

摘要：　设计了一种采用0.6μmCMOS数字工艺的高精度能隙基准电压源。它具有结构简单、性能优异的特点,该电压源主要用于智能电源控制器,其温度系数可达15ppm/°C,输出电压变化率仅为18μV/V。

摘要：运用带隙基准的原理，采用0．5μm的CMOS（Complementary Metal—Oxide Semiconductor）工艺，设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源．HSPICE仿真结果表明：电源电压‰最低可达1．9V，在温度-30～125℃范围内，电源电压VDD在1．9～5．5V的条件下，输出基准电压VREF=（1．225±0．0015）V，温度系数为γTC=14．75×10^-6／℃，直流电源电压抑制比（PsRR）等于50dB．在温度为25℃且电源电压为3V的情况下功耗不到15μW．整个带隙基准电压源具有良好的性能．

摘要：利用工作于亚阈值的NMOS器件,产生两个负温度系数的电压源,然后将两个电压源作差,产生稳定的基准电压输出.整体电路采用HJTCl80 nrn标准CM()S工艺实现.仿真结果表明,基准源输出电压为220 mV,在一25℃到100℃的温度范围内的温度系数为68×10^(-6)/ C.电路的最小供电电压可低至O.7 V,在供电电压O.7～4V范围内的线性调整率为1.5 mV/V.无滤波电容时,1 kHz的电源抑制比为-56 dB室温下,1.O V电压供电时,电路总体功耗为3.7μW.版图设计后的芯片核心面积为O.02 mm^2.本文设计的电压源适用于低电压低功耗的条件.

摘要：基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计一款纳瓦级功耗的全CMOS带隙基准电路。该电路由全CMOS电路实现,避免使用三极管和电阻,实现了节省芯片面积的目的。晶体管工作在三极管区和亚阈值区,大幅降低了功耗。Cadence仿真结果表明:在-20~100℃范围内,温度系数为31 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V的变化范围内,电源电压漂移系数为0.42%/V。参考电源电压下,电路的电源抑制比(PSRR)达到51.7 dB@100 Hz;室温下,电路总静态电流为22.8 nA,功耗为27.4 nW@1.2 V;该电路可调节性强,适用于低功耗芯片中。

摘要：基准电压源的应用及其广泛,不同的电路系统应用不同的基准稳压源电路设计,对常见的几种基准稳压源如电阻分压式、正向二极管导通压降式、齐纳二极管稳压式、UBE倍增电路构成式、带隙基准源构成式,通过对这些基准源的比较,指出虽然带隙基准源是最佳基准源设计,但针对不同的电路应用,应该选用最合适的基准源设计,求得最佳的性价比。

摘要：基于0．35μm CSMC（central semiconductor manufacturing corporation）工艺设计，并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片，可输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运算放大器和启动电路。芯片在3．3 V 供电电压，-40～80℃的温度范围内进行测试，结果显示输出电压波动范围为1．2128～1．2175 V，温度系数为3．22×10-5/℃。电路的版图面积为135μm×236μm，芯片大小为1 mm×1 mm。

摘要：设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源。利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压。采用0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25V,在0℃～80℃温度范围内的温度系数为6.096×10^(-5)/℃。

摘要：设计了一种带曲率补偿的电流模式基准电压源。采用CTAT电流补偿技术和高低温分段补偿技术,降低了基准电压的温度系数。采用斩波稳定技术和2阶低通滤波器,减小了失调电压和斩波引起的纹波。后仿真结果表明,在5 V电源电压、-40℃~150℃温度范围的条件下,基准电压源的温度系数为8.39×10-7/℃。Monte Carlo仿真结果表明,使用斩波稳定技术后,该基准电压源的3σ误差由原来的±0.904%降为±0.011%。