摘要：设计了一种带曲率补偿的电流模式基准电压源。采用CTAT电流补偿技术和高低温分段补偿技术,降低了基准电压的温度系数。采用斩波稳定技术和2阶低通滤波器,减小了失调电压和斩波引起的纹波。后仿真结果表明,在5 V电源电压、-40℃~150℃温度范围的条件下,基准电压源的温度系数为8.39×10-7/℃。Monte Carlo仿真结果表明,使用斩波稳定技术后,该基准电压源的3σ误差由原来的±0.904%降为±0.011%。

摘要：介绍了一种新型能隙基准电压源电路,此电路在smic0.18rfms工艺条件下设计,它可以输出大小为616mV的基准电压,只要当电源电压在1.1,2.5V之间,此基准电压的输出浮动不超过2.2mV。

摘要：基于MOSFET亚阈值的特性,通过两个MOSFET阈值电压差与热电压VT相互补偿的原理,提出了一种全CMOS基准电压源电路。与传统带隙基准电路相比,该电路采用全CMOS器件,无需电阻和传统分立电容,具有电路结构简单、功耗低、温度系数小和面积小的特点。通过对电路的理论分析,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,在电源电压为1.8 V的条件下,输出电压为364.3 mV(T=27℃),温度系数为6.7 ppm/℃(-40℃^+125℃),电源抑制比达到-68 dB@10 kHz,功耗为1.3μW。

摘要：利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了芯片性能。用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20～+120℃,温度系数为9.3×10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果。

摘要：基准电压是许多控制或应用电路所必需的，而且电路的控制精度或性能指标在很大程度上取决于基准电压的好坏。对基准电压的基本要求是：在电源电压和环境温度变化时其电压值应保持恒定不变。

摘要：系统地总结了当前流行的三种集成精密基准电压源：隐埋齐纳二极管、带隙和XFET基准电压源的设计思路和应用过程中应该注意及考虑的问题。

摘要：基准电压源在模拟及数、模混合集成电路设计中,是非常重要的电路模块之一,这类器件的发展对基准的噪声、启动速度、电源纹波抑制比(PSRR)等提出了非常高的要求。通过巧妙设计的带隙基准电压以其与工艺、电源电压、温度变化几乎无关的特性,广泛应用在DC-DC转换器、发射电路、LDO线性稳压器及高精度A/D和D/A转换器等多种集成电路中。

摘要：设计了一种高电源抑制比的基准电压源,分别针对基准电压VREF和电源电压VDD设计了负反馈电路,使VREF和VDD的波动能够得到快速的反馈抑制,运算放大器采用了高增益的折叠式共源共栅运算放大器。本设计在TSMC 0.18um工艺上实现,仿真结果表明,在低频段PSRR≈116d B,温度系数26ppm/℃。

摘要：为了在宽温度范围内得到较低温漂系数的输出电压,设计了一种电压补偿模式结构的高精度基准电压源,采用栅源电压差分对作差的方式对该基准电压进行温度补偿。MOS管线性区电阻在工作在亚阈值区的2个MOS管的栅源电压差作用下,产生温漂系数较低的偏置电流,通过不同标准电压下的晶体管产生基准电压。基于180 nm CMOS器件模型,在cadence上对电路进行设计仿真和对比分析。结果表明,在温度为-25~150℃时,温度系数为3.91 ppm/℃;在1.3~3.3 V电源电压范围内,电压调整率达到0.58%;在100 Hz时,电源抑制比为-63.5 dB;功耗仅为115.7 nW,芯片面积为0.0054 mm^(2)。