摘要：针对由于工艺偏差导致的器件误差和不匹配性会严重降低基准源的性能,在研究器件失配的基础上,设计了幅值在15～80μA之间可调的基准电流源Iref,同时利用温度补偿电路来提高其温度特性.为了进一步提高基准源的精度,提出了一个双向校准电路,它由8bit的外部信号控制校准电流的方向及大小,并采用二进制加权的编码方式实现127级的等比数列电流校准.基于CMOS 0.13μm工艺,在输出电流为15μA,温度范围为-40℃～120℃的仿真条件下,基准电流温度系数为26ppm/℃.实测结果表明,电流源校正范围为-14.3%.Iref～14.3%.Iref,校正精度为0.11%.Iref,可应用在高精度的A/D和D/A转换器等集成电路中.

摘要：基准电流电路是模拟和混合电路系统中非常重要的模块。文章设计了一种高精度基准电流源,在传统PTAT电流电路基础上,增加一级新型电阻和三极管组合电路提高正温度系数,与全MOS管产生的负温度系数电路级联实现温度和工艺补偿。电路基于CSMC-0.5μm工艺,输出电流为100μA,在-20~100℃内具有36×10-6/℃温漂。该设计仅增加很小的面积,即可实现受工艺、电压以及温度变化影响极小的电流源。

摘要：在复杂的工程环境里,电流源受工艺的影响较大。在对以往的电流源的研究基础上,本文给出了独立于工艺的100uA基准电流的电路设计。经过对电路仿真结果的分析,本设计较好地满足了工程要求。

摘要：本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源。在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压—电流转换电路获得稳定的基准电流。HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004。

摘要：主要从潜油电泵井下多参数分时传输基准电流的测量原理、电路设计及实验分析进行实现。基准电流是井下多参数测量电路空载时的本体电流,对多参数测量结果的精确性以及井下电路的可靠性都有影响。因此,潜油电泵井下多参数监测系统通过时序控制电路,采用分时传输的方法,将测量的多参数电流信号与基准电流信号依次通过电缆铠皮传输到地面控制单元,每测量完一组温度、压力、振动的电流信号后校准一次基准电流,使测量的多参数电流信号更加精确、监测系统更加稳定、也消除了井下温度变化引起的基准电流漂移。

摘要：直流下垂控制可以改善直流微源并联的电流分配效果,然而其不能同时满足电流分配精度和调压要求。为此,提出一种基于电流跟踪的并联直流微源主从控制策略,其主变换器提供基准电流,各从变换器则根据自身容量比例跟踪主变换器的基准电流,该方法在满足电流分配精度的同时改善了变换器输出电压的偏移和负载电压的跌落;分析了所提控制策略的稳定性,并验证了其动态特性;研究并定量计算了允许最大电压偏移时的临界线路阻抗。最后,设计2台容量比为1:2的直流变换器进行仿真和实验,仿真和实验结果均证明了所提控制策略和临界线路阻抗分析的正确性和有效性。

摘要：设计了一种基于BiCMOS工艺、结构新颖的过温保护电路。对基准电流产生机理、芯片关断温度、芯片重新开启温度、温度滞回量和电路转换速度进行理论推导,给出了电路核心器件的参数设置。仿真结果显示,电路在127℃时关断芯片,116℃时重新开启芯片,温度滞回量为11℃,电路转换速度为26.2V/℃,性能稳定、可靠。

摘要：提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响,设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置,采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比(PSRR)的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗,减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响,从而提高输出基准电流的精度。采用0.35μm CMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.18 mm2。提取寄生参数(PEX)仿真结果表明,该电路在-55℃^+90℃范围内的温度系数为15.5 ppm/℃,室温下基准电压为1.203 5 V;在低频段电流源的电源抑制比为90 dB;在外接电阻从1 kΩ~400 kΩ变化时,输出基准电流误差范围是0.000 1μA。

摘要：基于SST闪存工艺,设计了一款温度系数可抵消并且电压波动可跟随的参考电流基准,作为闪存读出放大电路的基准电流。该电路在GF 55nm的嵌入式闪存工艺上完成多次流片,测试结果表明该电路可工作在1.5~3.6V电压范围,-50C~150℃温度范围,实现11ns的读出速度,以及10万次的读写。

摘要：基于CSMC 0.25μm BCD工艺,设计了一种高精度的可调阈值产生电路,采用一个7位的DAC和两个5位的DAC结合电阻分压产生8个输出电压,且输出电压可调,精度高。仿真结果表明,对于5位的DAC电路,最大的误差为0.002V,对于基准为1V的电压而言其相对误差只有0.2%,实际测试结果表明电路的最大误差为0.98%。因此,该电路具有面积小、功耗低、精度高的优点。该电路可用于新型射线探测器材料——碲锌镉晶体(CdZnTe,简称CZT)探测器和其他需要可调多阈值电压的应用场合。