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检索条件"主题词=基区渡越时间"

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SiGe HBT基区渡越时间研究: 收藏
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引用; 《微电子学》2006年第5期36卷 608-610,614页; 作者：戴广豪王生荣李文杰李竞春杨谟华电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054; 对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组...; 对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组分的bτ减小了33.7%。该研究与其他文献的结果相吻合,可为SiGe HBT基区设计提供一定的理论指导。; 来源：详细信息评论

基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响: 收藏
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引用; 《微电子学》2000年第1期30卷 5-7页; 作者：张万荣李志国孙英华程尧海陈建新沈光地北京工业大学电子工程系北京100022; 由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的...; 由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性。; 来源：详细信息评论

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