摘要：随着微型化以及性能提升趋势的不断发展,设计人员不断寻求在尽可能小的空间内获得尽可能高的电气功能和性能.在这一过程中存在的两个关键限制因素通常是集成度和I/O引脚限制.

摘要：为了适应在更薄更小的堆叠封装内速度更块、密度更高的器件的要求,堆叠POP封装在不断地快速发展。随着引脚数、性能和微型化要求的提高,不管是对于系统设计者还是IC供应商,先进封装都变得越来越有战略意义。

摘要：文章介绍了SiP与PoP的特点、市场、产品和设计工具。手机、数码相机等便携式数字电子产品是推动SiP、PiP和PoP的主动力。2010年SiP产品市场预计将达100亿美元;2009年PoP、PiP产品市场出货量预计将达21亿块。PoP比PiP更先进,PoP封装中底部为逻辑器件(如基带处理器、应用处理器、多媒体处理器),顶部为存储器。两种器件一般采用FBGA封装,焊球凸起(点)直径300μm,焊球节距0.65mm。

摘要：采用硅基三维异构集成技术,在极小的体积内,将多个微波单片集成电路(MMIC)和无源功分网络一体化集成,实现了一种X波段4通道片式收发系统级封装(SiP)。该SiP由2个体硅堆叠封装(PoP)而成,不同封装通过球栅阵列(BGA)方式互连,单层封装的内部腔体上下面均贴装芯片,封装内部采用硅通孔技术(TSV)实现垂直互连,SiP尺寸为14 mm×14 mm×3.2 mm。测试结果表明,在8~12 GHz内,SIP 4个通道的发射饱和输出功率≥30.5 dBm,接收增益≥24.5 dB,噪声系数≤3 dB,接收输入P-1≥-26 dBm,同时具备6位数控移相和6位数控衰减功能,重量约1 g,可广泛用于微波收发系统。

摘要：成果简介：三维封装平台已建立了一套全面的三维封装方案，包括封装设计（如堆叠封装（POP）、硅通孔（TSV））、工序仿真和优化（如通孔形成、通孔填充、晶圆减海、