摘要：对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析。脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关。脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和,其次还与基区宽变效应、大注入效应和工作状态等因素相关。从器件设计、工艺和电路应用等方面提出了改进器件脉冲顶降和增益压缩特性的途径。

摘要：为实现低噪声放大器增益压缩特性的自动测量,提出了一种基于LabVIEW仪器控制实现的自动化测量系统设计方案,并完成了系统的软硬件设计。该系统的硬件部分由Agilent E4438C信号发生器、Agilent E4419B功率计以及GPIB总线和接口卡构成;软件部分使用LabVIEW图形化的编程语言设计开发了信号发生器和功率计的自动化控制程序,实现了两个设备之间的协同工作。该系统除了可以自动配置仪器工作参数、读取并显示测量结果外,还增加了数据记录和后期处理模块,可以同步显示测试数据和测试曲线,这大大扩展了原有仪器的测试功能。实验表明,该系统具有测量准确、自动化、节约时间、使用方便等特点。

摘要：利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡.利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配.在8 GHz频率及连续波情况下(直流偏置电压为Vds=27 V,Vgs=-4.0 V),放大器线性增益为5.6 dB,最大效率为30.5%,输出功率最大可达40.25 dBm(10.5 W),此时增益压缩为2 dB.在带宽为500 MHz内,输出功率变化为1 dB.

摘要：基于肖特基二极管(Schottlky Barrier Diode, SBD)的非线性提出一种新型的小型化、低成本的星载模拟线性化器,可以用来改善卫星测控系统中固态功放在饱和功率输出时引起的非线性失真。首先分析了模拟预失真器的工作原理,给出其等效电路模型,然后采用软件设计和仿真了一个新型的小型化星用模拟预失真器,将设计的电路加工制作并测试。结果表明该线性化器与功放级联后,能够有效改善功放在饱和功率输出时的3阶交调约6 dB。

摘要：设计了一款微波单片集成电路功率放大器.该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的交流偏置点的偏离.电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路提高了电路增益.通过在偏置管的基极并联一个电容进一步改善了功率放大器的线性.该芯片采用InGaP/GaAsHBT工艺制作.测试结果表明:该放大器具有26.6dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为33.6%,ACPR为-40.2dBc.

摘要：采用三指单胞的InGaP/GaAsHBT提取的大信号模型参数 ,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器 .通过对传统偏置网络的优化 ,消除了小信号下的增益压缩 .在 3 5V电压下 ,该放大器的最大线性输出功率为30dBm ,增益达到 2 9 1dB ,对应的功率附加效率为 4 3 4 % ,临近沟道抑制比达到 - 10 0dBc,而静态偏置电流很低 ,只有 10 9 7mA .

摘要：为了降低行波管放大器(TWTA)的非线性,介绍了一种采用传输拓扑的宽带二极管预失真线性化器的设计。分析了用于补偿TWTA非线性的线性化器增益和相位扩张特性。测试结果表明,在19.5~21.3 GHz频率范围内,TWTA的交调指标得到改善。