摘要：产品作为被符号化了的事物,其意义的表达是具有层次性的。本文从两个层面对产品的意义进行了分析,第一层面多指涉产品的外延层,它与产品功能、人机工学,认知心理学等联系密切,表现较为科学和客观,意义较为明显;第二层面则多指涉产品的内涵层,它与感性美学、社会风俗文化、象征含义联系密切,表现较为感性、主观,意义较为含蓄。

摘要：对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研究中用于制备Ga_(x)In_(1-x)P材料的垂直和水平HVPE结构设计、外延的原理和工艺改进、Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的结构等对外延层质量和相关器件性能的影响进行了评述,总结了近年来HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P材料在太阳电池领域的研究进展,HVPE有望代替MOCVD而成为Ga_(x)In_(1-x)P的主流制备工艺。最后,对HVPE法制备Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池的研究成果和难点以及未来研究的重点进行了总结,并对国内在该领域的研究工作指明了方向。

摘要：本文描述了PNP超高频沟道基区全温晶体管新器件的结构,工作原理,设计与制造,这种新器件的突出特点是当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。测试结果表明: 环境温度从25℃升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35%. 当温度由25℃升到180℃时,这种新器件的h_(FE)变化率均优于同类型的常规双极结型晶体管的h_(FE)变化率。变化率平均改善20%. 当温度从25℃降到-55℃时,新器件的h_(FE)变化率小于或等于30%.

摘要：鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900V大功率MOSFET器件。以VDMOS器件为例分析其基本结构、工作原理和主要参数,通过理论计算制定产品的外延层及栅氧等相关工艺参数,并对元胞尺寸进行了优化设计。终端结构采用场限环与场板相结合的技术,并进行模拟仿真。仿真结果符合预期,并依此给出最终设计版图。

摘要：Y2002-63132-601 0219480CuInTe_2特性研究=Study and caracterization of Cop-per-Indium-Diteleride[会,英]/Kemiha,F.& Zegadi.A.//2001 IEEE Canadian Conference on Electrical andComputer Engineering,Vol.1.—601～606(E)0219481PCI 总线接口设计及其专用芯片应用[刊]/吴赟//电子工程师.—2002,28(2).—50～52(L)0219482基于单片机的逻辑加密 IC 卡读写器的设计[刊]/杜耀华//电子工程师.—2002,28(2).—9～11,18(L)以 AT88SC1604型逻辑加密 IC 卡为例,详细介绍了用单片机实现的 IC 卡读写器的工作原理、接口电路和软件程序,并实现了其与 PC 机的通信。

摘要：从电学、热学、光学和结构等四个方面,介绍大功率LED的封装技术。

摘要：15-kV SiC IGBT的设计与优化图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^＋衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P＋发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层（场塞）,厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。

摘要：位于柏林的费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)开发了具有创纪录价值的氧化镓功率晶体管。仍在研发中的β氧化镓正在引起人们的轰动,用于功率半导体应用。它是一种宽带隙技术,这意味着它比传统的基于硅的设备更快,并且提供更高的击穿电压。其他宽带隙技术正在出货。在当今的功率半导体市场中,氮化镓(GaN)和SiC MOSFET等两种宽带隙型器件正在不断增加。结晶β氧化镓也很有希望。它的带隙为4.8-4.9eV,击穿场强为8MV/cm。这是硅的3,000倍以上,是SiC的8倍以上,是GaN的4倍以上。费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)的研究人员设计了一种β-Ga2O3-MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该研究公司从莱布尼兹晶体生长研究所获得了氧化镓衬底。衬底具有优化的外延层结构,从而导致较低的缺陷密度水平和良好的电性能。

摘要：在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。

摘要：在过去的20年中,设计者们尝试采用3D电路缩小IC芯片的尺寸、缩短互连并减少芯片数量.最近,马萨诸塞州列克星敦的马萨诸塞技术研究所和3D IC研究所,尝试把背部照明64×64像素镜相传感器阵列与环形振荡器连接在一起,并采用全并行A/D转换技术,把数字图像输出到主系统.