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RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究
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《电子设计工程》2016年 第5期24卷 169-171,174页
作者：安达露 鲍嘉明北方工业大学电子信息工程学院微电子学系北京100144 
LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近...
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