摘要：介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法。在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构。该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应;同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间。采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题。雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护。

摘要：文章在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证．结果表明，合理设计多元胞版图尺寸可以改善器件的转折导通特性，从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据．

摘要：本文简要阐述了新型半导体器件 2BT10 0固体放电管的研制 ,在设计上采取了多元胞结构 ,在制作上采用了双面扩散技术 ,提供了一些工艺过程 。

摘要：在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图尺寸和ｐ 基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性，从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据．

摘要：基于半导体放电管过电压自击穿原理,探索设计了一种固体场畸变三电极开关。该开关由两组半导体放电管阵列印刷电路组成,受到触发时,一组半导体放电管阵列首先击穿,另一组阵列继而过电压自击穿,开关导通。实验测试了特定幅值触发脉冲时的负载电压,初步验证了半导体放电管固体场畸变三电极开关设计的可行性。讨论了降低开关导通电感,提高通流能力、工作电压及运行频率的方法。