摘要：本文主要内容,作者曾在1956年8月北京举办的全国半导体讲习班上。现又改编充实。作者对晶体管的设计和制造,有多年工作经验和试验研究心得,将陆续撰文在本刊发表。

摘要：一、半导体二极管（一）问答题1、何谓半导体？常用的半导体材料有哪些？它们有何特点？2、何谓本征半导体？它有什么特色？3、何谓N型半导体？N型半导体中的多数载流子（多子）是什么？少数载流子（少子）是什么？4、何谓P型半导体？P型半导体中的多数载流子（多子）是什么？少数载流子（少子）是什么？5、N型或P型半导体中的多数载流子与少数载流子的数量与什么因素有关？6、何谓PN结？它有何特性？

摘要：为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。

摘要：第三讲电力电子器件的PSPICE仿真(下)(2)单极型器件所谓单极型器件指的是其工作仅依赖于多数载流子的漂移运动,而其电流是在同一类型的半导体中流动的器件,如各种场效应晶体管。其中由于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有输入电阻高,对栅极电压极性没有限制,以及工艺上适于制造大规模集成电路等优点而得到日益广泛的应用。(a)功率MOSFET小功率MOS器件的应用已经有30年的历史了。

摘要：场效应晶体管简称FET，其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等，

摘要：纳米管(Carbon nanotube,CNT)具有纳米级特征尺寸、独特的一维能带结构、极大的比表面积和多种排布形态,吸收波长覆盖太赫兹至紫外波段,吸收率高;半导体型单壁碳纳米管拥有直接带隙,禁带宽度随手性不同在0.1 eV至1 eV以上均有分布,可实现室温弹道输运,是构建片上高响应、超宽带、超快可调光电探测器件的新型潜力材料。南京电子器件研究所采用高纯度半导体型碳纳米管阵列材料设计制备了多种红外—光电探测器件,其中叉指型光电探测器件通过缩短电极间距降低渡越时间提高响应速度、构造功函数不同的非对称电极促进光生空穴—电子对分离提高响应度、增加栅控有效调控多数载流子降低暗电流,实现了300 A/W以上的优异响应度,响应时间<30μs。进一步联合东南大学,首次在碳纳米管光电探测器件中引入硅光波导与金属狭缝结构,激发等离激元局域光场增强与耦合,在1550 nm通信波段获得高响应特性,3dB带宽达15GHz。未来通过构建异质结及叠层结构,有望进一步降低暗电流,并开发取向阵列的偏振敏感特性,助力碳基电子学及光电子学的应用发展。