摘要：日前。中科院上海硅酸盐研究所在IV-VI族化合物半导体纳米管设计和可控制备研究中取得重要进展。该所朱英杰研究员带领的课题组发明了一种生物分子辅助纳米晶定向自组装的新方法，巧妙地利用含多功能基团的生物分子在室温下成功地制备出一系列铅的硫族化合物（PbS，PbSe，PbTe）半导体多晶纳米管。所制备的铅的硫族化合物多晶纳米管表现出了明显的量子限域效应，在红外成像、红外激光器、半导体红外探测、光敏电阻器、太阳能电池和热电器件等领域具有良好的应用前景。该方法的主要优点是简便、快速、成本低、产率高、无需使用表面活性剂、可在室温下大量制备。该方法不仅为铅的硫族化合物纳米管的设计和可控制备提供了一条新的途径，而且对其它材料体系纳米管的设计和制备也具有启发作用。

摘要：目前太阳能电池组件主要分为两种:一种是常规多晶太阳电池组件,一种是高效率n型晶体硅太阳电池组件。由于两种组件在设计原理上存在很大差异,导致它们对光谱响应时间的要求也是各自不同。文章通过对两种电池组件在不同光谱响应时间内进行I-V测试,分析两种组件对光谱响应时间上的需求情况以及原因分析。

摘要：本文选择了合适的初始原料提纯法 ,分别采用液相法和固相法合成了钒酸钇晶体的多晶原料 ,同时对合成条件进行了优化 ,并设计了合理的烧结温度。利用XRD分析对不同方法合成的YVO4多晶原料进行了分析 ,结果发现液相法合成的原料纯度及均匀性要高于固相法合成的样品。

摘要：本刊讯2014年9月16日，由中国电子工程设计院恺源科技工程有限公司承担设计及管理的武汉华星光电技术有限公司“第6代低温多晶砖显示面板生产线项目”，

摘要：据悉，西安交通大学材料科学与工程学院先进陶饶研究所博士生戴培赞在杨建锋教授指导下用物理气相传输法成功制备出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加烧结助剂的条件下获得了接近理论密度的纯碳化硅块体陶瓷材料，标志着西安交大存陶瓷研究方面获得重要进展。

摘要：日前，中科院上海硅酸盐研究所在IV—VI族化合物半导体纳米管设计和可控制备研究中取得重要进展。该所朱英杰研究员带领的课题组发明了一种生物分子辅助纳水晶定向闩组装新方法，巧妙地利用含多功能基团的生物分子在聿温下成功地制备出一系列铅的硫族化合物（PbS，PbSe，PbTe）、仁导体多晶纳米管。所制备的铅的硫族化合物多晶纳米管表现出了明显的量子限域效应，在红外成像、红外激光器、半导体红外探测、光敏屯阻器、太阳能电池和热电器件等领域具有良好的应用前景。

摘要：随着便携式电子产品、电动汽车领域的快速发展,高能量密度锂离子电池的需求度正在日益增加。镍含量在0.6(含)以上的高镍三元材料体系(如LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_(2),LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)和LiNi_(0.9)Co_(0.05)Mn_(0.05)O_(2))在截止电压为4.3 V(vs Li^(+)/Li)的条件下,可逆比容量超过200 m Ah·g^(-1),是高比容量正极的重要发展方向。然而,多晶三元材料的机械强度和压实密度较低,且颗粒中的一次晶粒间存在各向异性,导致在充放电过程中会在多晶颗粒内产生晶间裂纹,电解液会沿晶间裂纹向颗粒内部渗透,从而加剧电极-电解液副反应、恶化电池的循环性能和安全性能。采用无晶界的单晶结构设计可以减少晶间裂纹的形成、抑制界面副反应和提高循环稳定性。本文将对单晶高镍三元材料的优势与存在问题进行综述,并对其合成方法和改性策略进行分析,最后,对单晶高镍三元材料的应用前景与面临的挑战进行评述与展望。

摘要：本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为 1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了 (001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作。

摘要：Yb∶KGW晶体在可调谐微片激光器中有重要的应用价值。本文研究了Yb∶KGW多晶粉料的合成温度及烧结时间 ,确定在 90 0℃经 1 2h烧结合成Yb∶KGW多晶粉料。通过对K2 WO4和K2 W2 O7两种助溶剂性能及生长温度曲线的对比分析 ,选择K2 W2 O7作助溶剂 ,设计合理的工艺参数 ,采用熔盐法生长了新型的稀土激光晶体Yb∶KGW。对晶体粉末进行XRD图谱测试 ,判定所生长的晶体为 β Yb∶KGW ,经TG DTA分析 ,确定其熔点为 1 0 86℃ ,相变温度为1 0 2 1℃。

摘要：固体在机械振动过程中由于材料内部原因引起的能量损耗称为内耗。晶界内耗峰是我国科学家葛庭燧于1947年用他发明的"葛氏扭摆"在多晶纯铝中发现的。晶界内耗峰和相关的滞弹性效应可以用滞弹性理论和粘滞性滑动模型给予合理的解释。这个内耗峰已被广泛地用来研究晶界的动力学行为,杂质在晶界的偏聚,以及材料科学中相关的问题。以往晶界内耗的研究大多数是用多晶试样进行的,其中包含了不同类型晶界的贡献。由于不同类型晶界的结构和性质不同,因而多晶试样中的晶界内耗只能反映不同晶界的"平均效应",它的具体机制也难以解释清楚。二十一世纪以来,人们对双晶试样(其中只包含单一晶界)中的晶界内耗进行了比较细致的研究。实验结果表明,晶界内耗可以反映不同类型晶界的"个性",因而可以应用于"晶界的设计和控制"(或称"晶界工程")。此外,新近还发现了晶界内耗中的"耦合效应"和"补偿效应"。这些发现加深了对晶界内耗机制的认识。本文首先对以往多晶试样中的晶界内耗研究做一个简要的概述,然后介绍近年来双晶试样中晶界内耗研究的新进展,并对晶界内耗的微观机制和应用前景进行分析和展望。