摘要：针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。

摘要：介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造成的寄生延迟对测试结果的影响,准确地测试出电路的最高工作频率.本电路并行输入输出和移位的最高工作频率为410MHz.该电路是为提高某些测试系统高频测量性能而设计的全功能移位寄存器阵列.其布局和结构合理灵活,可以方便地构成多种数据移位寄存方式,有利于使用和测量,具有一定的通用性.