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检索条件"主题词=多重场限环"
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4H-SiC高压肖特基二极管研制
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《智能电网》2017年 第8期5卷 786-789页
作者：王永维 李永平 王勇 吴昊 李玲中国电子科技集团公司第十三研究所河北省石家庄市050051 全球能源互联网研究院北京市昌平区102209 
采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管。基于Medici仿真计算结果,并利用两环简化模型结构,给出了耐压5 800 V终端结构各个场限环之间的优化间距。终端整体仿真结果表明:该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好地抑制了结...
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