文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器: 收藏
分享
引用; 《固体电子学研究与进展》2017年第2期37卷 99-102,139页; 作者：彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016; 在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限...; 在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。; 来源：详细信息评论

限定检索结果