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高压大电流(4500V/600A)igbt芯片研制: 收藏
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引用; 《电工技术学报》2021年第4期36卷 810-819页; 作者：刘国友黄建伟覃荣震朱春林新型功率半导体器件国家重点实验室株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司株洲412001; 提高绝缘栅双极晶体管(igbt)单芯片电流容量,对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。该文基于高压、大电流、高可靠性igbt应用需求,通过高压igbt芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步,...; 提高绝缘栅双极晶体管(igbt)单芯片电流容量,对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。该文基于高压、大电流、高可靠性igbt应用需求,通过高压igbt芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步,通过光刻拼版技术解决大尺寸芯片的工艺制造,通过单芯片压接封装验证了大尺寸芯片设计及其性能,探索出一条大尺寸igbt芯片设计、制造与验证的技术路径。研究开发了全球第一片42mm×42mm大尺寸高压igbt芯片,攻克了高压igbt芯片内部大规模元胞集成及其均流控制的技术难题,首次实现了4500V/600A单芯片功率容量,具备优良的动静态特性和更宽的安全工作区,并可以显著提高igbt封装功率密度与可靠性。; 来源：详细信息评论

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