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关键区域分析与存储器冗余
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《电子设计技术 EDN CHINA》2012年 第6期19卷 42-45,51页
作者:Simon FavreMentor Graphics公司 
您的设计对随机缺陷的敏感程度如何,布局中哪个区域的修改可为总良品率提供最大的正面效果?无论采用何种工艺的设计团队(无晶圆、轻晶圆或IDM(集成件制造商)),都应解决降低设计对于制造问题敏感度的目标。一个设计向下游走得越远...
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