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检索条件"主题词=存储器控制器"
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多端口存储器控制器IP核的设计与实现
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《武汉大学学报(理学版)》2007年 第5期53卷 617-621页
作者:王力纬 曹阳 朱小虎 李晓辉武汉大学电子信息学院湖北武汉430072 
提出了一种通用的多端口存储器控制器的设计与实现方案,该方案采用AMBA(advanced microcon-troller bus architecture)总线,最多可支持6个AHB(advanced high-performance bus)主设备同时访问存储器;支持包括SRAM、ROM、NOR-FLASH、SDR-S...
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PowerPC 60x总线的存储器控制器的设计与实现
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《微计算机信息》2006年 第10Z期22卷 79-81,267页
作者:王连国 陈小敏 张健中国科学院空间科学与应用研究中心 
文章介绍了PowerPC60x处理的总线接口和操作,详细阐述了60x总线存储器控制器在CPLD上的设计与实现过程。此存储器控制器可提供60x总线与多种类型的SRAM的接口,及与FLASH和I/O的接口,已在嵌入式系统的设计中得到了应用和验证。
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基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
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《微计算机信息》2008年 第11期24卷 305-306页
作者:欧阳伟 张琦滨江南计算技术研究所无锡214083 
存储器带宽以及延迟与3D架构(体、行、列)特点的DRAM芯片的存取方式紧密相关。连续访问一行的不同列与连续访问一体的不同行其带宽存在数量级的差异。本文介绍一种存储器控制器设计,一项依靠重排序存储器存取访问的顺序来挖掘3D存储器...
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S698P4 SoC芯片存储器控制器的设计与实现
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《微型机与应用》2011年 第21期30卷 26-28页
作者:陈炳成 唐芳福 蒋晓华 颜军珠海欧比特控制工程股份有限公司广东珠海519080 
详细分析了S698P4 SoC芯片存储器控制器控制原理,并给出相应设计方案和仿真结果。该控制器可在32bit位宽模式下对存储器进行读写控制。目前该处理已实现了量产,实际硬件测试验证了S698P4 SoC芯片存储器控制器的高效性能。
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一种面向嵌入式应用的片上系统:腾跃-1
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《电子学报》2005年 第11期33卷 2036-2039页
作者:王蕾 陆洪毅 王进 戴葵 王志英国防科学技术大学计算机学院湖南长沙410073 
本文介绍了面向嵌入式应用的片上系统芯片:腾跃-1的设计和实现技术.该芯片包括32位嵌入式RISC微处理内核、通用存储器控制器、LCD控制器、片上总线和各种外围设备.微处理内核采用自主设计的指令集体系结构.该芯片已经在中芯国际0.18...
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一种嵌入式NOR Flash控制器IP的设计
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《电子与封装》2016年 第7期16卷 18-21,43页
作者:解同同 李天阳江南大学物联网工程学院江苏无锡214122 中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 
当前,嵌入式Flash广泛应用于嵌入式系统领域,便于系统进行软件在线更新和系统维护。嵌入式NOR Flash可以"嵌入"在芯片中作为高速缓存,对于提升芯片整体性能作用明显。传统的嵌入式NOR Flash不具备测试接口,在芯片出现工作异...
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VoIP终端存储系统设计
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《南开大学学报(自然科学版)》2010年 第3期43卷 66-69页
作者:梁科 王锦 高贤虎 鲁毅 汪磊 李国峰 林列南开大学信息技术科学学院天津300071 
介绍了VoIP终端SoC的架构,采用片内存储器存储器控制器、SSRAM、SDRAM及FLASH组成VoIP终端硬件平台的存储系统.分析了两种存储器控制器方案的优缺点.提出一种采用集成方式的存储器控制器结构.利用Verilog HDL设计了该存储器控制器IP,...
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一种用刷新技术实现SRAM抗SEU错误累积的方法
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《微电子学与计算机》2014年 第7期31卷 113-117页
作者:陈庆宇 吴龙胜 郝奎 艾刁西安微电子技术研究所陕西西安710054 
为了防止空间应用SRAM出现SEU错误累积,提出了一种优化的读→校验→回写刷新机制.该机制实时监测处理状态,当处理对外部主存进行读操作时,由存储器控制器自主地(即不需处理干预)对读操作的存储单元进行刷新操作;当处理进行访问...
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MPMC高速存储器接口IP核设计
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《哈尔滨理工大学学报》2012年 第6期17卷 75-80页
作者:曹一江 马宁 王建民哈尔滨理工大学应用科学学院黑龙江哈尔滨150080 
为实现用户逻辑与片外存储器间的高速通信,设计一种基于MPMC的高速总线接口IP核.通过对读写数据缓存、地址判断以及NPI传输模式的动态选择,进而实现任意地址、任意长度的突发数据传输,并支持传输等待,最终扩展了MPMC IP核的功能,提高了...
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SAM4S:无线无源红外移动检测参考设计
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《世界电子元件》2014年 第8期 11-13页
Atmel公司的SAM4S是基于高性能32位ARM Cortex-M4RISC处理的闪存MCU,工作频率120MHz,闪存高达2048kB,SRAM高达160kB,外设包括带嵌入收发的仑速USB件端口、用于SDIO/SD/MMC的高速MCI、具有静态存储器控制器的外接总线接口等...
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