摘要：阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5-3.5GHz);采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5-3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56%-65%.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性.

摘要：报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300～450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。

摘要：宽带大功率微波功率放大器在通信发射机的应用越来越多,具有高击穿场强和高功率密度的优点的第三代半导体GaN技术越来越适用于宽带功率放大器的应用。本文基于GaN功率管的大信号仿真模型,采用宽带匹配技术进行功率管的匹配电路设计。通过ADS软件仿真和优化,设计了一款工作在0.5-4GHz宽频带范围的功率放大器。仿真结果显示,在0.5-4GHz内,功率附加效率(Power added efficiency, PAE)超过60%,增益大于11dB,增益平坦度为±1.5dB,且端口驻波性能良好,满足了发射机系统的要求。

摘要：带宽是Doherty功率放大器一个重要的性能指标,相比于单管的功率放大器,Doherty功率放大器存在更多的带宽限制因素。研究已经表明,后匹配结构可以有效的拓展Doherty功率放大器的带宽。本文相比于传统Doherty功放,将合路点处的阻抗值匹配到更靠近负载牵引处的阻抗值,在简化输出匹配结构的基础之上更能够有效的扩展Doherty功放的带宽。设计中采用安捷伦公司的先进设计系统软件(Advanced design system,ADS),选取Cree公司CGH40010F GaN HEMT晶体管。经过电路仿真和实物测试,结果表明该DPA在1.8-2.9 GHz频带内,饱和输出功率为42.3 dBm-44.4 dBm,饱和增益大于11 dB,饱和漏极效率60%-69%,输出功率回退6 dB时漏极效率42%-51%。

摘要：本文通过一系列的实验对宽带放大器的温度可靠性进行了测试和分析.旨在通过环境温度测试及温度突变测试来研究温度对功率放大器直流特性、S参数、RF输出特性和可靠性的影响.实验结果表明,环境温度的升高和突变会引起功率放大器性能发生显著退化.这对射频设备的可靠性研究和设计提供重要的指导.

摘要：基于Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）技术,研制了在0.8-4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器。采用3 d B耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与Si C接近的铜-钼-铜载板作为Ga N HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁。测试结果表明,在0.8-4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 d B,增益平坦度为±1.5 d B,饱和输出功率值大于58.2 W,漏极效率为41%-62%。

摘要：设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4～12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4～12GHz功率增益为30±3dB,输出功率大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功率放大器的驻波性能在全频段内小于-7dB。

摘要：R＆S BBA130宽带功率放大器是针对研发、生产和质量保证而设计的，在80MHz～6GHz的频率范围内可提供22～4200W的输出功率。由于其紧凑的模块化设计，放大器可以进行极佳的尺寸规划和配置。同时，这种模块化设计使得将来升级扩展功率和频率范围非常方便，从而保护客户的投资。

摘要：针对功率放大器电磁兼容设计无统一指导方法的问题,基于系统法提出了宽带功率放大器电磁兼容设计的流程和方法。分析了其内部的干扰因素,针对腔体谐振、对外屏蔽、内部走线等关键问题,从电磁兼容总体方案设计、详细方案设计、原理图设计、电路详细设计、样机测试五个步骤给出了设计流程及注意事项。并按此流程成功设计了20~1000 MHz、100 W宽带功率放大器,对系统化提高宽带功率放大器电磁兼容设计水平具有实践意义。

摘要：阐述了基于GaNHEMT的1～2GHz频段的宽带平衡式功率放大器的设计方法。结构上，使用平衡式功率合成结构，将两路相同的40w功率放大器进行正交功率合成输出80w。利用双音负载牵引，仿真得到兼顾功率设计与效率设计的最佳匹配阻抗；使用多节阶梯阻抗变换和并联开路枝节的匹配方式，设计了输入输出宽带阻抗匹配。匹配网络设计通过分析谐波阻抗对功放效率的影响，以提高功放效率指标，并基于ADS的电磁仿真系统优化宽带匹配电路版图参数，完成L波段宽带功放设计：实测功放输出功率75～100W，效率50．5％～60％，增益波动2．2dB，峰值功率输出60w，测试IM3高于25．2dBc。