摘要：设计了一种基于65 nm CMOS工艺的毫米波宽带压控振荡器(VCO)。分析了应用于宽带VCO的宽带化技术。针对高频相位噪声性能恶化这一问题,提出并设计了一种等效阻抗渐变变压器,以优化VCO高频段相位噪声。该压控振荡器输出信号频率为20.4~40.2 GHz,覆盖24~26 GHz、38~39 GHz两个5G毫米波通信频段。全频带内,相位噪声小于-102 dBc/Hz,品质因子大于180.9 dBc/Hz。

摘要：基于某测试系统宽带本振的指标要求,设计了一种双端加载可变电容的宽带压控振荡器(VCO),采取负阻分析法对电路结构进行分析设计,采用ADS对电路进行仿真设计,并通过实物验证设计结果的真实性和有效性。设计指标:频率为2.00～3.30GHz,相位噪声指标小于-80dBc/Hz@10kHz,输出功率大于5dBm。

摘要：设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用SMIC0.18μmCMOS工艺。仿真结果表明:在工作电压为1.8V时,直流功耗为9mW,压控振荡器的频率范围870～1500MHz(53%),调谐增益在67MHz/V至72MHz/V之间。相位噪声优于-100dBc/Hz@100kHz。

摘要：通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从12~6.9 MHz,中心差分调谐增益从23~17 MHz/V,相位噪声在频偏1 MHz处为-113^-118 dBc/Hz。

摘要：介绍了一种应用于宽带低相位噪声的频率综合器．此频率综合器为兼容DRM，DAB，AM和FM的射频前端提供本振信号．为了覆盖所有频段的信号，提出了一种新的频率规划和系统结构．此频率综合器包含宽带低功耗低相位噪声的VCO和高速宽带低功耗的大分频比吞吐脉冲分频器等模块．所设计的频率综合器应用中芯国际的0．18μm RF CMOS工艺进行了流片实现．整个芯片面积为1425μm ×795μm，包括测试驱动电路和焊盘．测试结果表明，压控振荡器振荡频率范围为2．27～3．57 GHz．在频偏为1 MHz时，其相位噪声为120．22 dBc/Hz；吐脉冲分频器的工作频率范围为0．9～3．4 GHz；在频偏为10 kHz时，锁相环内的相位噪声为-59．52 dBc/Hz，完全满足DRM/DAB/AM/FM射频前端的要求．此频率综合器在1．8 V的电源电压下，其功耗为47 mW（包括测试驱动的功耗）．