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温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用: 收藏
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引用; 《Journal of Semiconductors》2006年第9期27卷 1657-1662页; 作者：王忆何乐年严晓浪浙江大学超大规模集成电路研究所杭州310027; 设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源．通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流．利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性，对各支路的镜像电流进行了温度补偿，在-40～130℃范围内的30nA的基...; 设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源．通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流．利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性，对各支路的镜像电流进行了温度补偿，在-40～130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1．5nA提高到±0．9nA．用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40～130℃范围时减小到4μA．用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计．芯片测试结果验证了以上设计．; 来源：详细信息评论

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