摘要：飞兆半导体开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK（TO-252）器件需求而设计。飞兆半导体DPAK判装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型平坦化MOSFET的三分之一（0．6-1．20hm），能将满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小，并满足这些快速转换的照明设计的系统效率要求。

摘要：飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK（TO-252）器件需求而设计。飞兆半导体DPAK封装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型MOSFET的1／3（06Ω-12Ω）．能满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小。

摘要：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO-220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

摘要：提出一种新颖的精确自适应斜坡补偿电路，与传统的自适应斜坡补偿电路不同，该电路不仅引入了输入、输出电压，还引入了电感电流和开关管导通阻抗的乘积，从而实现补偿量的自动调节和精确控制，提高了DC-DC转换器的带载能力和瞬态响应，同时更好地保证了系统的稳定性。基于该结构采用0.35μm CMOS工艺设计实现了一款面积为1.8＆#215;1.8 mm2的Boost DC-DC转换器芯片。测试结果表明，该转换器工作状态良好，占空比从15%～90%变化时，电感电流最大值变化量小于6.5%。

摘要：在智能仪器中．自动量程转换通常采用继电器的切换来选择。优点是导通阻抗小．开路阻抗大。但其存在着体积大。驱动电流大，动作慢。容易老化等缺点。本系统采用运算放大技术来实现自动量程转换机制：先把输入电压通过同一个阻抗网络进行衰减：然后通过运算放大器将此信号进行放大．用CD4051模拟开关选择不同的放大倍数实现量程的转换。

摘要：NUS6189将过压保护（OVP）电路的性能和功能、30VP沟道功率MOSFET、低饱和电压晶体管和低导通阻抗功率MOSFET集成到3．0mm×4．0mm×0．9mm封装之中。NUS6189设计用于保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源故障影响。这器件经过优化，应用于使用外部交流-直流（AC—DC）适配器或车载充电器，如手机、便携式媒体播放器（PMP）和移动互联网设备（MID）。

摘要：美国时间2015年3月17日,安森美半导体和Transphorm宣布推出联名的NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS）600 V Ga N共源共栅晶体管和使用这些器件的240 W参考设计。两款新品NTP8G202N（TPH3202PS）和NTP8G206N（TPH3206PS）,导通阻抗典型值为150和290 mΩ,采用优化的TO-220封装,易于根据客户现有的制版能力而集成。

摘要：飞兆半导体公司为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的RDS（ON）和出色的品质因数（figure of merits，FOM），有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm×6mm MLP Power56封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。

摘要：该文针对刚挠印制板布线设计过程中电气指标设计准确性难以直观计算、降额设计余量不足或过足等情况,基于Sigrity、ADS工程软件,进行刚挠印制板导通阻抗、载流量和特性阻抗仿真技术研究,通过线压降仿真、电流密度仿真间接对导通阻抗、载流量进行仿真,进而获得刚挠印制板电气性能仿真方法,提高一次布线准确性,为后续刚挠印制电缆设计提供技术支撑。

摘要：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。