摘要：该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗低至13mΩ，电流能力高达76A，经过100％雪崩测试，通过AEC—Q101标准认证。这些功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源（UPS）中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射（DGI）。

摘要：研诺逻辑科技推出AAT4616智能开关系列。AAT4616系列为专门针对高端负载开关应用而设计的完全可调、低导通阻抗（RDS（ON））、超高精度限流P沟道MOSFET电源开关，适合高清电视（HDTV）、机顶盒及平板电脑等产品。

摘要：日前,德州仪器(TI)宣布推出新型低功耗双单刀双掷(SPDT)模拟开关 TS5A23157。该器件针对1.65 V～5.5 V Vcc 之间的工作条件进行了精心设计,不仅能够提供低功耗与高速率,而且能够保持出色的信号完整性,因而是模拟信号路由、信号闸控以及数字信号多路复用与多路解复用等应用的理想选择。该器件功耗低(5.5 V

摘要：飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达50％，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。FDD4141采用PowerTrench工艺技术制造，将N沟道MOSFET的特性运用在P沟道MOSFET中，

摘要：飞兆半导体公司推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板（PDP）应用提供系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench^TM工艺技术，这些MOSFET较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS（on）（FDB2614的典型值为22．9mΩ；FDB2710的典型值为36．3mΩ）。