摘要：高压大功率压接型IGBT器件具有功率密度大、寄生电感低、双面散热、失效短路等优点,是用于智能电网、轨道交通等高压大功率电压源换流装备的理想器件。该文对ABB、Fuji、Toshiba、Westcode等公司的压接型IGBT器件封装技术路线进行介绍和分析,并对现有商业化大功率压接型IGBT器件的特性进行对比。综合已有压接型IGBT器件封装技术的特点与试验测量结果,提出将封装关键技术分为3个部分,并简要介绍各个部分的具体关键技术及研究现状。最后,基于压接型IGBT封装技术特点,结合实际工艺要求,提出一种评估压接型IGBT器件性能的判据,为后续压接型IGBT器件的开发与设计提供参考。

摘要：深紫外发光二极管(Deep-ultraviolet light-emitting diode,DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康、隐秘通讯等领域具有重要应用价值。近年来,深紫外LED技术取得了快速发展,主要体现在光效和可靠性的不断提高,这一方面得益于芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术的进步,另一方面归功于深紫外LED封装技术的发展。但是,与波长较长的近紫外和蓝光LED相比,深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空间。本综述重点对深紫外LED封装关键技术进行了系统分析,包括封装材料选择、封装结构设计、封装工艺优化、反射光损耗机制以及结温和热管理等,同时从提高光效与器件可靠性角度阐述了深紫外LED封装的最新研究进展,并对后续技术发展进行了展望。

摘要：氮化镓(Ga N)作为典型的宽禁带半导体材料,具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势,封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工作可靠性十分关键。文中首先对比分析Si基、Si C基和Ga N基器件/模块封装的异同,随后从封装杂散电感、封装散热设计和封装连接可靠性3个方面,分别介绍其带来的问题以及解决方案,讨论目前研究可能存在的不足。基于综述分析,最后提出未来Ga N功率器件/模块封装技术亟待解决的问题以及研究展望。

摘要：研究了高功率二极管激光 (LD)封装中的铟焊料蒸镀工艺和回流焊工艺对芯片焊接状态的影响。在数值模拟和实验研究的基础上 ,优化了冷却器结构设计 ,研制出具有热阻低、压降小的铜微通道液体冷却器 ,可以满足热耗散功率大于 6 0W的二极管激光器散热冷却需要。通过封装实验得到输出功率 40W ,波长 80 8nm ,谱线半高宽<2nm ,电光效率近 40 %的连续线阵二极管激光器。用该激光器进行了抽运Nd∶YAG固体激光实验 ,在抽运功率为 40W时 ,获得 11 8W单横模固体激光输出 ,光 光效率约为 30 %。

摘要：文中主要研究设计了基于BGA/CSP微小封装技术的微型存储测试系统,并阐述了该系统的设计原理。系统采用CPLD(复杂可编程逻辑器件)与先进球栅阵列封装技术相结合的设计理念,使存储测试系统在微型化、微功耗和微噪声方面有了很大突破,进而拓展了存储测试技术的应用领域。同时指出了存储测试系统进一步微型化的发展趋势。

摘要：采用计算机辅助设计技术，优化设计了高频ＩＧＢＴ模块的内部结构；利用紧密的布局减小了分布电感；通过ＩＧＢＴ芯片的对称定位和连接路线的最佳选择，使分布电感量相等。同时，亦合理地设计了ＩＧＢＴ模块的内部结构件，改进了ＩＧＢＴ模块的封装工艺。

摘要：采样返回任务是目前地外天体探测中重点发展的航天技术领域,针对样品容器密封失效导致样品被污染的问题,文章总结了20世纪以来国内外地外天体样品封装技术的研究进展和成果。重点从密封和封装机构两项封装核心技术对地外天体样品封装进行了综述,并对目前应用较为广泛的橡胶圈密封、金属挤压密封、爆炸焊接和钎焊焊接等密封技术进行了对比分析,最后对我国地外天体样品封装技术的发展趋势进行了展望。

摘要：论述了多晶硅高温压力传感器小型化固态隔离封装技术、静电键合技术、不锈钢膜片的选择及波纹设计技术、激光焊接技术、硅油充灌和硅油隔离技术等。以不锈钢膜片和高温硅油为隔离材料,使传感器的封装直径缩小到15 mm,在1 mA电流激励下传感器满量程输出为72 mV,零点稳定性为0.48%F.S/mon,提高了传感器的可靠性,拓宽了传感器的应用领域。

摘要：对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的芯片级封装(CSP)进行了研究,描述了CSP的工艺流程;详细讨论了CSP的几项主要关键技术结构设计技术,凸点制作技术,包封技术和测试技术;阐述了采用电镀和丝网漏印制备焊料凸点的方法。

摘要：今年7月,为进一步加速美国先进封装产能建设,美国商务部宣布推出高达16亿美元的研发激励举措。此前的4月,日本经济产业省为旨在实现尖端半导体国产化的半导体企业Rapidus公司追加提供最多5900亿日元补贴,其中超过500亿日元用于先进封装技术研发。近来,由于先进封装可以大幅提高芯片良率、降低设计复杂度及减少芯片制造成本,已成为美日对华半导体竞争的最前沿。