摘要：RFIC(射频集成电路)是90年代中期以来随着IC工艺改进而出现的一种新型器件。RFIC的技术基础主要包括:1)工作频率更高、尺寸更小的新器件研究;2)专用高频、高速电路设计技术;3)专用测试技术;4)高频封装技术。本文将从IC技术的角度对该领域近期出现的一些新动向进行简要的综述和分析。

摘要：更高分辨率、更高集成度的创新封装技术正在帮助数模转换器和模数转换器(DAC和ADC)用户简化设计并降低成本。本文提到的产品均属于“nanoDAC(纳米数模转换器)”产品家族，并且是模拟器件公司(Analog Devices，Inc)的最新款ADC产品，所有这些产品的共性是以微小的封装提供不折不扣的转换器性能。

摘要：设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能,例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管.此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求,对于便携式电池供电设备(如笔记本电脑、数码相机)及汽车中的负载切换和电源系统,此类新器件是首选的解决方案.

摘要：能源效率正在微电子技术的推动下不断提高，全球大约有1／3的能源是基于电能，而半导体在整个电能供应链中正扮演着越来越重要的角色。如何提高功率密度是摆在半导体行业面前的一个亟待解决的问题。英飞凌正是以创新封装概念，通过提高散热性，降低基板与散热器间的热阻，且最大限度地减小内部漏感，

摘要：普通的厚膜多芯片组件（陶瓷基底）不能满足现今在军事和宇航中大批量应用的专用电路要求。一般来说，这种专用集成电路芯片是专门设计用于高频条件下运行的，其热功耗高，并有大量的高密度互联输出／输入引线。为了确定可能的解决方法，我们比较了几种ＭＣＭ技术。模拟和实验结果证实了在厚膜材料上用光成像方法实现高密度互联的一种新技术，它可以提供可靠且经济效益较好的替代先进的聚酰亚胺多层膜以及ＳＯＳ（硅芯片／硅基板）互联的新技术。本文叙述了一种新的封装工艺，并提出了三种有代表性的高密度（５～１０密耳引线间距）、高频（２５～６００ＭＨ；）多芯片组件技术。

摘要：设计进步以及封装技术的改进使得开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管以及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求。对于便携式电池供电设备(如笔记本电脑、数字相机)以及汽车中的负载切换和电源系统，此类新器件是首选的解决方案。

摘要：该文介绍照明级大功率LED的设计和工艺技术,其关键是芯片和封装,最新的二维光子结晶结构极大地提高了发光效率,为照明级大功率的LED的新技术之一。

摘要：引言 电子承包制造业(CEMS)的市场仍在以非常快的速度发展。这种快速的发展是因为原始产品制造商认为雇佣承包制造商是最有效、最省钱的途径生产产品。作为这种趋势的结果,电子承包制造业已经在很短的时间内成熟并且已有相当多的公司上市,有强大投资集团做后盾。从目前来看,这种趋势仍将在全球范围内继续下去。

摘要：为保证电子器件的环境适应性和可靠性要求,在传统"三防"的基础上,着重论述了产品电子元器件的封装、加固技术。方法介绍了常用的封装加固材料的性能,针对不同的器件,规定了封装加固工艺流程,其中针对导引头提出了两种封装材料,其耐冲击指标达到8×103g^20×103g。为三防设计及选材提供了依据,对工艺防护提供了实际经验和技术要求,从而避免缺陷导致的质量问题。电子元器件封装加固技术,能够提高电子产品的防护性能,具有一定指导作用。

摘要：提高功率密度和性能，同时降低成本，从来都是功率半导体技术的前进方向。本文指出，在可预见的未来，这个趋势还将继续下去，并且新型半导体材料的发展甚至会加剧这一趋势。传统的硅材料与诸如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料的一个共同发展趋势是提高电流密度，并且需要逐步实现高达200℃的更高工作温度。主要受要求高得多的负载和温度循环能力的限制，如今的封装技术尚不能处理高于200℃的温度。另一个共同发展趋势是，各种新老材料的半导体都致力于加快开关速度，以降低器件内部损耗，从而提高电流承受能力。本文还表明，朝着这个方向发展，降低开关损耗的潜力巨大（约7倍），并且阐述了在低电感连接技术方面，封装和系统设置面临的挑战。